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用于串联中压SiC MOSFET的带短路保护的高级双通道栅极驱动器
Advanced Dual-Channel Gate Driver With Short-Circuit Protection for Series-Connected Medium-Voltage SiC MOSFETs
Rui Wang · Drazen Dujic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文针对中压应用场景，提出了一种专为串联SiC MOSFET设计的双通道栅极驱动器（D-GD）。该驱动器具备高效的短路保护功能，旨在解决SiC器件在高压环境下开关性能与可靠性的平衡问题，提升功率模块的整体运行稳定性。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着光伏逆变器和储能系统（如PowerTitan系列）向更高电压等级（1500V及以上）演进，SiC器件的串联应用成为提升功率密度和效率的关键。该驱动器设计的短路保护机制能显著增强大功率模块的可靠性，降低故障率。建议研发团队关注该驱动方案在组串式逆变器及大功率...
具有短路保护功能的串联中压SiC MOSFET双通道栅极驱动器
Advanced Dual-Channel Gate Driver With Short-Circuit Protection for Series-Connected Medium-Voltage SiC MOSFETs
Rui Wang · Drazen Dujic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
双通道栅极驱动器（D - GD）在工业中被广泛应用，以支持半桥功率模块的大规模使用。随着碳化硅（SiC）器件在中压（MV）场景中日益普及，与传统硅基器件相比，SiC 器件具有卓越的开关性能。本文提出了一种专门针对中压 SiC MOSFET 半桥功率模块的全面 D - GD 设计方案。在高压应用中，功率器件的额定电压有限，为克服这一限制，与传统互补切换两个器件的 D - GD 不同，所提出的 D - GD 设计为同步切换这两个器件，将半桥模块等效为一个额定电压翻倍的单器件。为此，不仅需要保证两个串...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文提出的中压SiC MOSFET双通道栅极驱动技术具有重要的战略价值。当前我们在大功率光伏逆变器和储能变流器领域正面临从1500V向更高电压等级演进的趋势，该技术通过串联同步开关方式将半桥模块整合为倍压单元，为突破单管电压限制提供了创新路径，这与我们3.3kV以上中压产...
集成于双通道驱动器的SiC MOSFET串联主动均压技术
Active Voltage Balancing With Seamless Integration Into Dual Gate Driver for Series Connection of SiC Mosfets
Rui Wang · Drazen Dujic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
本文针对SiC MOSFET半桥模块在串联应用中的电压不平衡问题，提出了一种集成于双通道门极驱动器（D-GD）的主动均压方案。该方法通过优化驱动电路设计，实现了高压转换器应用中SiC器件的高效串联，有效提升了功率模块在高压环境下的可靠性与工作性能。
解读: 该技术对阳光电源的高压储能系统（如PowerTitan系列）及大功率组串式逆变器具有重要意义。随着光伏与储能系统向更高直流电压等级（如1500V及以上）演进，SiC器件的串联应用成为提升功率密度和效率的关键。该主动均压方案能有效解决串联SiC器件的动态电压不平衡问题，降低对器件筛选的依赖，提升系统可...
谐振IGCT软开关：零电压开关还是零电流开关？
Resonant IGCT Soft-Switching: Zero-Voltage Switching or Zero-Current Switching?
Gabriele Ulissi · Jakub Kucka · Umamaheswara Reddy Vemulapati · Thomas Stiasny 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月
过去三十年，集成门极换流晶闸管（IGCT）凭借其在MW级中压硬开关应用中的低导通损耗优势，成为关键功率器件。本文探讨了将IGCT应用于中频DC-DC变换器等场景时，通过软开关技术（ZVS或ZCS）提升系统效率与频率的可行性与技术路径。
解读: IGCT作为大功率电力电子器件，主要应用于MW级中压领域。对于阳光电源而言，该技术主要关联集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）的功率模块升级。虽然目前阳光电源主流产品多采用IGBT或SiC模块，但随着光储系统向更高电压等级（如1500V/3000V）及更高功率密度演进，研究I...
串联IGCT在谐振变换器中的高频运行
High-Frequency Operation of Series-Connected IGCTs for Resonant Converters
Gabriele Ulissi · Umamaheswara Reddy Vemulapati · Thomas Stiasny · Drazen Dujic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
串联集成门极换流晶闸管（IGCT）常用于兆瓦级硬开关功率变换器。由于IGCT具有低导通损耗的优势，将其应用于中压DC-DC谐振变换器具有重要价值。本文旨在深入研究该器件在串联配置下的高频运行行为。
解读: 该研究探讨的串联IGCT技术主要针对兆瓦级中压应用，与阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）的功率变换技术路径存在交叉。虽然目前阳光电源主流产品多采用IGBT或SiC模块，但随着中压直挂（MV-DC）光储系统需求的增长，IGCT在超大功率、高压场景下的低导通损耗特性具...