找到 4 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑共源极电感的SiC MOSFET有源栅极驱动耦合噪声建模与优化算法

Modeling and Optimization Algorithm of Coupling Noise for SiC MOSFET Active Gate Driver Considering Common-Source Inductance

Hengyang Liu · Wubin Kong · Gen Long · Hangchuan Lou 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

SiC MOSFET的高开关速度受限于桥臂配置中的耦合噪声。传统方法主要关注由栅漏电容引起的噪声,并通过有源栅极驱动(AGD)降低栅极阻抗来抑制。然而,当存在共源极电感(Ls)时,噪声尖峰并不随栅极阻抗严格增加。本文针对该现象提出了新的建模与优化算法。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该研究深入分析了共源极电感对SiC开关噪声的影响,对于优化高频功率模块的驱动电路设计具有极高参考价值。建议研发团队在下一代高频逆变器及PCS产品开发中,引入该动态建模方法,以...

功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 多物理场耦合 ★ 4.0

基于4H-SiC的低噪声前端电荷耦合晶体管,用于0.9%辐射能量分辨率

4H-SiC-Based Low-Noise Front-End Charge Coupling Transistor for 0.9% Radiation Energy Resolution

Jiuzhou Zhao · Weizong Xu · Hao Qu · Dong Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月

本简报提出了一种基于宽带隙碳化硅(SiC)的方法,用于前端电子应用中的低噪声电荷耦合晶体管,可对α粒子进行精确检测并实现良好的能量分辨率。通过采用双栅外延结构设计的联合构建技术,减轻了沟道与底栅之间的电容耦合和电荷泄漏,同时结合蚀刻损伤修复以及干 - 湿 - 干氧化钝化制造工艺,制备出了 4H - SiC 结型场效应晶体管(JFET)。该晶体管室温泄漏电流约为 0.1 pA,输入电容密度低至 0.285 fF/μm²,输出电导低至 10⁻⁶ S,在 1 kHz 时实现了 1.1×10⁻¹⁹ A²...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于4H-SiC的低噪声前端电荷耦合晶体管技术虽然聚焦于辐射探测领域,但其底层技术突破对我们的核心业务具有重要的延伸价值。 **技术关联性分析**:该研究在SiC JFET器件上实现的突破——极低漏电流(~0.1 pA)、超低输入电容密度(0.285 fF/μm²)和...

功率器件技术 功率模块 多电平 储能变流器PCS ★ 3.0

一种基于RB-IGCT瞬态脉冲特性的无饱和电抗器混合换相变换器

A Novel Saturable-Reactor-Free Hybrid Commutated Converter Based on Transient Impulse Characteristics of RB-IGCT

Zongze Wang · Lu Qu · Zhanqing Yu · Chaoqun Xu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

本文提出了一种基于反向阻断集成门极换流晶闸管(RB-IGCT)的混合换相变换器(HCC)。该拓扑通过利用RB-IGCT的瞬态脉冲特性,消除了传统混合换相变换器中体积庞大的饱和电抗器,在保持抗换相失败能力的同时,显著提升了高压直流输电系统的功率密度与效率。

解读: 该技术主要针对高压直流输电(UHVdc)领域,虽然阳光电源目前核心业务聚焦于光伏、储能及中低压电网接入,但该研究中关于RB-IGCT的应用及无电抗器拓扑设计,对公司未来探索更高电压等级的储能变流器(PCS)及大功率并网系统具有参考价值。特别是对于PowerTitan等大型储能系统,若未来向更高电压等...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 ★ 3.0

一种用于集成门极换流晶闸管

IGCT)的超低电感可拆卸门极驱动单元

Jie Shang · Zhengyu Chen · Biao Zhao · Zhanqing Yu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月

在清洁能源并网背景下,高容量电力电子器件IGCT应用前景广阔。为提升更换便利性及使用寿命,本文提出了一种新型IGCT可拆卸门极驱动单元(DGDU)。通过优化连接方案与电路板设计,确保了器件的关断能力并实现了超低电感特性。

解读: IGCT作为高压大功率电力电子器件,主要应用于超高压输电或大型工业变频领域,与阳光电源目前的组串式/集中式光伏逆变器及储能PCS产品线(多基于IGBT或SiC模块)存在差异。然而,该研究提出的“可拆卸门极驱动”与“超低电感设计”理念,对于提升阳光电源大型集中式逆变器及未来高压储能系统(如PowerT...