找到 4 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种用于串联SiC MOSFET的通用短路检测与保护方案

A Universal Short-Circuit Detection and Protection Scheme for Series-Connected SiC MOSFETs

Ye Zhou · Liang Xian · Xu Wang · Dan Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

在高功率变换器中,通过串联SiC MOSFET以提升电压等级并简化拓扑结构是一种有效方案。然而,除了正常开关过程中的动态电压均衡外,短路检测与保护同样至关重要。由于驱动时序偏差及器件间I-V特性的固有失配,串联器件的短路保护面临巨大挑战。本文提出了一种通用的短路检测与保护方案,旨在解决串联SiC MOSFET在故障工况下的可靠性问题。

解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高直流侧电压(1500V及以上)演进,SiC器件的应用日益广泛。串联技术能有效降低对单管耐压等级的极端要求,但其带来的动态均压与短路保护难题是工程落地的瓶颈。该方案提出的保护机制可提...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于双端口栅极驱动器的SiC功率MOSFET短路检测准浮动栅概念

Quasi-Flying Gate Concept Used for Short-Circuit Detection on SiC Power MOSFETs Based on a Dual-Port Gate Driver

Mathis Picot-Digoix · Frédéric Richardeau · Jean-Marc Blaquière · Sebastien Vinnac 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月

本文提出了一种基于准浮动栅概念的双端口栅极驱动架构,旨在保护SiC功率MOSFET免受短路事件影响。该架构通过监测硬开关故障(HSF)导致的栅极漏电流和负载下故障(FUL)引起的栅极电荷注入,有效识别短路状态,提升了宽禁带半导体器件在极端工况下的可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司在光伏逆变器(如组串式、集中式)及储能系统(如PowerTitan、PowerStack)中大规模应用SiC器件以提升效率和功率密度,SiC的短路保护成为提升系统可靠性的关键。该准浮动栅驱动方案能够更精准地识别短路故障,减少误触发,延长功率模块...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种基于数字信号处理的SiC MOSFET短路保护检测电路

A Digital Signal Processing Based Detection Circuit for Short-Circuit Protection of SiC MOSFET

Seungjik Lee · Kihyun Kim · Minseob Shim · Ilku Nam · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月

本文提出了一种针对SiC MOSFET的短路检测(SCD)电路。该电路通过数字信号处理技术,利用SiC MOSFET源极寄生电感产生的感应电压进行检测,从而在短路故障下实现更稳定、可靠的关断操作,提高了功率电子系统的安全性。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,短路保护的可靠性至关重要。SiC器件的高开关速度使得传统模拟检测电路易受噪声干扰,该研究提出的数字信号处理方案能有效提升故障识别的抗干扰能力。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 故障诊断 ★ 4.0

城市轨道交通应用中SiC MOSFET的二维短路检测保护

The Two-Dimensional Short-Circuit Detection Protection For SiC MOSFETs in Urban Rail Transit Application

Patrick Hofstetter · Mark-M. Bakran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月

本文研究了SiC MOSFET在城市轨道交通应用中的二维短路检测保护方法。针对轨道交通复杂工况下的高可靠性要求,该方法通过优化检测策略,有效提升了SiC器件在短路故障下的保护速度与准确性,解决了SiC器件在严苛环境下应用的关键挑战。

解读: 该技术对阳光电源的功率器件应用具有重要参考价值。随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,短路保护的可靠性至关重要。该二维检测方法可优化逆变器及PCS的驱动电路设计,提升系统在极端故障下的生存能力。建议研发团队关注该保护策略在高...