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一种降低GaN基高开关频率三相三电平Vienna整流器输入电流畸变的调制补偿方案

A Modulation Compensation Scheme to Reduce Input Current Distortion in GaN-Based High Switching Frequency Three-Phase Three-Level Vienna-Type Rectifiers

作者 Bo Liu · Ren Ren · Edward A. Jones · Fred Wang · Daniel Costinett · Zheyu Zhang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2018年1月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 GaN器件 PFC整流 三电平 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 GaN Vienna型整流器 PFC 高开关频率 电流畸变 调制补偿 电池充电器
语言:

中文摘要

宽禁带半导体在高性能电力电子应用中日益普及,带来了高开关频率和低损耗优势,同时也对控制和硬件设计提出了新挑战。本文提出了一种基于GaN器件和SiC二极管的Vienna型整流器,作为高密度电池充电系统中的功率因数校正(PFC)级,并针对其输入电流畸变问题提出了一种调制补偿方案。

English Abstract

Wide bandgap semiconductors are gradually being adopted in high power-density high efficiency applications, providing faster switching and lower loss, and at the same time imposing new challenges in control and hardware design. In this paper, a gallium nitride-based Vienna-type rectifier with SiC diodes is proposed to serve as the power factor correction stage in a high-density battery charger sys...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及储能PCS业务具有重要参考价值。Vienna拓扑因其高效率和低谐波特性,是高功率密度充电模块的核心方案。通过引入GaN器件和先进的调制补偿算法,可显著提升充电桩的功率密度和电能质量,缩小散热器体积,降低系统成本。建议研发团队关注该调制策略在车载充电器(OBC)及大功率直流充电桩中的应用,以进一步提升阳光电源在快充领域的竞争力。