← 返回
功率器件技术 IGBT 功率模块 多电平 ★ 4.0

一种用于串联IGBT开关损耗降低与电压均衡的混合有源门极驱动

A Hybrid Active Gate Drive for Switching Loss Reduction and Voltage Balancing of Series-Connected IGBTs

作者 Fan Zhang · Xu Yang · Yu Ren · Lei Feng · Wenjie Chen · Yunqing Pei
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2017年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 IGBT 功率模块 多电平
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 IGBT 串联连接 有源门极驱动 电压均衡 开关损耗 电力电子 瞬态响应
语言:

中文摘要

本文针对高压电力电子应用中IGBT串联运行时的电压不平衡问题,提出了一种混合有源门极驱动技术。该方案旨在解决开关暂态及拖尾电流期间的电压分配不均,同时实现开关损耗的优化,提升高压功率变换系统的可靠性与效率。

English Abstract

Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are usually connected in series to form high-voltage switches in power electronics applications. However, the series operation of IGBTs is not easy due to the unbalanced voltage sharing between them, especially during the switching transients and the tail-current period. In this paper, a hybrid active gate drive is presented for both switching loss reduct...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。在高压大功率应用场景中,通过串联IGBT提升系统耐压等级是主流方案,但电压均衡与损耗控制一直是技术难点。该混合有源驱动技术可有效提升功率模块的可靠性,减少因电压应力不均导致的器件失效,有助于优化大功率逆变器及PCS的散热设计与效率指标。建议研发团队关注该驱动电路的集成化方案,以进一步提升产品功率密度。