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用于降低5MHz 100W高功率密度LLC谐振DC-DC变换器中磁通对GaN-HEMT影响的电路设计技术
Circuit Design Techniques for Reducing the Effects of Magnetic Flux on GaN-HEMTs in 5-MHz 100-W High Power-Density LLC Resonant DC–DC Converters
| 作者 | Akinori Hariya · Tomoya Koga · Ken Matsuura · Hiroshige Yanagi · Satoshi Tomioka · Yoichi Ishizuka · Tamotsu Ninomiya |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | LLC谐振 GaN器件 DC-DC变换器 有限元仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN-HEMT 磁通 LLC谐振变换器 高功率密度 平面变压器 有限元法 电路设计 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种电路设计技术，旨在减少5MHz 100W高功率密度LLC谐振DC-DC变换器中平面变压器产生的磁通对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）的影响。文中通过有限元方法（FEM）仿真建立了功率器件模型，以深入分析磁通对GaN器件性能的干扰机制。
English Abstract
This paper presents circuit design techniques for reducing the effects of magnetic flux, occurred from the planar transformer, on gallium nitride high-electron-mobility transistors (GaN-HEMTs) in 5-MHz 100-W high power-density LLC resonant dc-dc converters. For investigating the effects of magnetic flux on a GaN-HEMT, power device model for finite element method (FEM) simulation is proposed. In or...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，高频化（MHz级别）是未来技术演进的重要方向。本文研究的GaN器件在高频LLC拓扑中的应用，对于优化公司户用逆变器及小型化DC-DC模块的体积与效率具有重要参考价值。磁通干扰分析及FEM仿真方法可直接应用于公司研发阶段的电磁兼容（EMC）设计与功率模块布局优化，有助于提升产品在高频工作下的可靠性与电磁环境适应性。