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一种用于紧凑型DC-DC变换器晶圆级集成的硅基高Q值功率电感
A High-Q In-Silicon Power Inductor Designed for Wafer-Level Integration of Compact DC–DC Converters
| 作者 | Jiping Li · Victor Farm-Guoo Tseng · Zhiming Xiao · Huikai Xie |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年5月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DC-DC变换器 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率电感 硅基板 晶圆级集成 DC-DC变换器 电镀铜 高深宽比 电感设计 |
语言:
中文摘要
本文介绍了一种嵌入硅衬底并实现晶圆级制造的新型功率电感(PIiS)。该电感利用深反应离子刻蚀形成高深宽比硅模具,从而获得与硅片等厚的电镀铜绕组。这种设计旨在提高电感性能,为紧凑型DC-DC变换器的集成化提供解决方案。
English Abstract
This paper reports the design, fabrication, and characterization of a novel power inductor embedded inside a silicon substrate and fabricated at wafer level. Such power inductors in silicon (PIiS) employ high-aspect ratio silicon molds formed with deep-reactive ion etching to obtain large cross-sectional electroplated copper windings (as thick as the silicon wafers). The PIiS also utilize high-res...
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SunView 深度解读
该技术涉及功率电感的微型化与晶圆级集成,对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有潜在参考价值。随着光伏与储能系统向高功率密度、小型化方向发展,集成化电感技术有助于进一步减小变换器体积,提升功率密度。建议研发团队关注该技术在低功率等级DC-DC变换器中的应用可行性,特别是针对户用储能系统中的辅助电源或高频DC-DC模块,以优化系统整体集成度与热管理性能。