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碳化硅器件级联升压变换器的共模噪声分析
Common Mode Noise Analysis for Cascaded Boost Converter With Silicon Carbide Devices
| 作者 | Taekyun Kim · Dong Feng · Minsoo Jang · Vassilios G. Agelidis |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年3月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DC-DC变换器 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 级联 Boost 变换器 共模噪声 EMI 建模 碳化硅 开关速度 电力电子 电压尖峰 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于两级级联升压变换器的电磁干扰（EMI）模型，旨在区分其噪声源。通过对比全SiC与SiC-Si器件组合，分析了开关速度对EMI产生的影响，并探讨了时域与频域之间的关系，揭示了电压纹波与尖峰对EMI的具体作用。
English Abstract
In the paper, an electromagnetic interference (EMI) model for a two-stage cascaded boost converter is presented to distinguish its noise sources. To illustrate the effects of switching speeds on EMI generation potential, the relationships between the time domain and the frequency domain with all-SiC and SiC-Si device combinations are provided. It is found that the voltage ripples and spikes at tur...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的组串式逆变器（如SG系列）及PowerTitan储能变流器中的DC-DC升压环节具有重要参考价值。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用日益广泛，其高开关速度带来的EMI挑战愈发突出。通过建立精确的EMI模型，研发团队可在设计阶段优化PCB布局与滤波电路，有效抑制共模噪声，确保产品符合电磁兼容性（EMC）标准，提升系统在复杂电网环境下的电磁稳定性。