基于SiC的双开关反激变换器中MOSFET的电压分担

Voltage Sharing Between MOSFETs in a SiC-Based Two-Switch Flyback

作者	Joni-Markus Hietanen · Kalyan Gokhale · Brian Veik · Tommi J. Kärkkäinen · Pertti Silventoinen
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	预计 2026年5月
技术分类	拓扑与电路
技术标签	SiC器件 DC-DC变换器宽禁带半导体功率模块
相关度评分	★★★★ 4.0 / 5.0
关键词	双开关反激变换器 SiC MOSFET 电压均衡电力电子 DC-DC变换器钳位二极管

语言:

中文摘要

双开关反激变换器通过增加开关管和钳位二极管，将每个开关管的峰值电压限制在输入直流电压水平。这种拓扑结构在关断状态下由两个开关管共同分担电压，从而支持更高的直流输入电压，或允许使用低耐压等级的功率器件，提升系统效率与功率密度。

English Abstract

The two-switch flyback converter is a variant of the widely used single-switch flyback converter with an additional switch and clamping diodes that limit the peak voltage across each switch to the input dc voltage level. Moreover, the total voltage during the off state of the converter operation is divided across two switches, allowing for higher dc input voltages or the use of components with low...

SunView 深度解读

该研究探讨的双开关反激拓扑及SiC器件电压分担技术，对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品具有重要参考价值。在追求高功率密度和高效率的趋势下，利用SiC器件配合该拓扑，可有效降低开关管电压应力，从而选用更低导通电阻的器件，进一步降低损耗。建议研发团队在小功率辅助电源设计或高压输入DC-DC变换环节中引入该电压分担策略，以提升系统可靠性并降低BOM成本。