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包含器件额定信息的功率半导体完整损耗与热模型
Complete Loss and Thermal Model of Power Semiconductors Including Device Rating Information
| 作者 | Ke Ma · Amir Sajjad Bahman · Szymon Beczkowski · Frede Blaabjerg |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 可靠性分析 功率模块 热仿真 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率半导体 热建模 损耗计算 器件额定值 可靠性 变换器系统 热负载 |
语言:
中文摘要
功率器件的热负载直接影响变流器系统的可靠性。本文提出了一种综合考虑电气负载与器件额定参数的损耗及热模型,克服了传统模型仅关注电气负载作为设计变量的局限性,为功率半导体在变流器中的精确热设计提供了理论支撑。
English Abstract
Thermal loading of power devices are closely related to the reliability performance of the whole converter system. The electrical loading and device rating are both important factors that determine the loss and thermal behaviors of power semiconductor devices. In the existing loss and thermal models, only the electrical loadings are focused and treated as design variables, while the device rating ...
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SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。在追求高功率密度和长寿命的背景下,精确的热模型是优化功率模块选型与散热设计的关键。通过将器件额定参数纳入模型,研发团队可在设计阶段更精准地评估IGBT/SiC模块在极端工况下的热应力,从而提升iSolarCloud运维平台中故障预测的准确性,并优化逆变器与PCS的过载能力设计,降低失效率,提升系统全生命周期可靠性。