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储能系统技术 IGBT ★ 5.0

基于二极管断路开关的重频高压纳秒脉冲发生器

High-frequency high-voltage nanosecond pulse generator based on diode opening switch

作者 袁琪 · 孙国祥 · 丁卫东 · 薛浩睿 · 丁臻捷
期刊 高电压技术
出版日期 2025年2月
卷/期 第 51 卷 第 2 期
技术分类 储能系统技术
技术标签 IGBT
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 二极管断路开关 软开关 磁开关 泵浦电路 高压纳秒脉冲 低温等离子体 袁琪 孙国祥 丁卫东 薛浩睿 丁臻捷 高电压技术 High Voltage Engineering
版本:
相较于电容储能型电路,电感储能型电路在高电压、快前沿、短脉宽、高重频输出及装置紧凑化方面具有显著优势,是低温等离子体驱动的有力候选方案。然而,受限于高频高功率断路开关与泵浦电路的设计难题,其实际应用报道较少。本文采用自研二极管断路开关(DOS),结合IGBT软开关技术与双脉冲变压器,构建正反向泵浦电路,研制出输出电压36 kV、上升沿6 ns、脉宽8.2 ns、重复频率3 kHz(75 Ω负载)的高压纳秒脉冲源,并成功驱动大气下板-板电极等离子体放电,为电感储能型脉冲源的设计提供了可行路径。
相比于电容储能型电路,电感储能型电路在高电压、快前沿、短脉宽、高重频脉冲参数输出以及小型化、紧凑化脉冲装置设计方面都展现了显著优势,是一项具有竞争力的低温等离子体驱动方案.但是受到了高频高功率断路开关器件难研制、泵浦电路难设计这 2 个条件的制约,电感储能型脉冲源在实际等离子应用中的报道仍然有限.为此采用团队研发的二极管断路开关(diode opening switch,DOS),设计了基于IGBT软开关技术和双脉冲变压器的DOS正反向泵浦电路,研制了输出电压幅值为36 kV、前沿为6 ns、脉冲宽度为8.2 ns,重复频率为3 kHz(75 Ω负载)的高压纳秒脉冲源.利用该原理样机成功在大气中驱动了板-板电极等离子体放电.该拓扑结构给电感储能型电路的设计提供了可以参考的方向,对进一步发展低温等离子体驱动源具有借鉴意义.
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SunView 深度解读

该电感储能型纳秒脉冲技术对阳光电源功率电子产品具有重要参考价值。文中IGBT软开关技术与双脉冲变压器的正反向泵浦设计,可借鉴至ST储能变流器的快速断路保护与能量双向流动控制,提升系统响应速度和安全性。二极管断路开关(DOS)的高频高功率特性,为SG光伏逆变器在直流侧故障隔离、SiC/GaN器件驱动电路设计提供新思路。电感储能方案的紧凑化优势,可应用于车载OBC充电机和充电桩产品,实现高功率密度与快速充电。此外,纳秒级脉冲控制技术对PowerTitan储能系统的功率模块保护和三电平拓扑优化具有启发意义,有助于提升系统可靠性和动态响应能力。