考虑温度依赖性的场截止型IGBT解析瞬态模型

Analytical Transient Model of Field-Stop IGBT Accounting for Temperature Dependence

作者	Peng Xue · Pooya Davari
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2025年6月
技术分类	功率器件技术
技术标签	IGBT 功率模块可靠性分析热仿真
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	场截止型IGBT 瞬态模型温度依赖性开关特性电力电子解析建模

语言:

中文摘要

场截止（FS）IGBT已成为中高功率应用的主流器件。本文提出了一种考虑温度依赖性的FS IGBT解析瞬态模型，旨在实现对器件开关行为的快速且精确的仿真，为功率电子系统的设计与优化提供理论支撑。

English Abstract

The field-stop (FS) insulated gate bipolar transistors (IGBTs) (FS IGBTs) become a mainstay in the IGBT market for medium and high-power applications nowadays. The wide application of FS IGBTs led to a great desire for fast and accurate simulation of the device. In this article, an analytical transient model is proposed for FS IGBT. Based on the improved understanding of the switching behavior of ...

SunView 深度解读

该研究对阳光电源的核心业务至关重要。作为光伏逆变器和储能系统（如PowerTitan、ST系列PCS）的供应商，IGBT是核心功率开关器件。该解析模型能够提升研发阶段对逆变器开关损耗和热特性的仿真精度，特别是在高温工况下，有助于优化散热设计和驱动电路参数。这不仅能缩短产品开发周期，还能提升组串式逆变器及储能变流器在极端环境下的可靠性与效率，对降低系统全生命周期成本具有重要意义。