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一种考虑驱动电路影响的高压场截止型IGBT温度相关关断模型
An Analytical Temperature-Dependent Turn-Off Model for High-Voltage Field-Stop IGBTs Considering the Influence of Drive Circuit
| 作者 | Zhiyuan Zhang · Hengxin He · Kejie Li · Nianwen Xiang · Weijiang Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 场截止型 关断模型 温度相关性 驱动电路 载流子输运 电力电子 |
语言:
中文摘要
随着制造技术的进步，IGBT在电力电子系统中应用广泛。本文针对高压场截止型IGBT，提出了一种考虑驱动电路影响的温度相关关断瞬态模型。该模型深入分析了载流子输运过程，旨在实现对IGBT开关瞬态特性的高精度建模，为优化电力电子系统的效率与可靠性提供理论支撑。
English Abstract
With the improvement in device manufacturing technology, the insulated gate bipolar transistor (IGBT) has been widely used in power electronic systems (PESs), such as power transmission, railway traction inverters, and aerospace. There is an urgent need for the accurate transient electrical model of IGBTs. Based on the improved understanding of the carrier transport process in the high-voltage IGB...
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SunView 深度解读
该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器）中功率模块的选型与驱动设计。高压IGBT是这些大功率变换设备的核心器件，其关断损耗与温度特性直接影响整机的效率与热设计。通过引入该温度相关模型，研发团队可更精确地评估IGBT在极端工况下的热应力，优化驱动电路参数，从而提升逆变器和PCS的功率密度与长期运行可靠性，并为iSolarCloud平台的故障预测提供更准确的器件级物理模型支撑。