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功率半导体器件开关应力波产生机理的理论研究
Theoretical Study on the Generation of Switching Stress Waves in Power Semiconductor Devices
| 作者 | Xuefeng Geng · Yunze He · Qiying Li · Longhai Tang · Guangxin Wang · Songyuan Liu · Chenghao Zeng · Xin Yang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年3月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率半导体器件 开关应力波 状态监测 可靠性 故障诊断 声发射 |
语言:
中文摘要
本文探讨了功率半导体器件在开关过程中产生的应力波现象。传统的监测方法主要依赖电气、磁学及热学参数,而应力波检测提供了一种新型的器件状态监测手段。研究旨在通过理论分析揭示应力波的产生机理,为功率器件的实时健康状态评估与故障预警提供理论支撑。
English Abstract
Appropriate condition monitoring methods can evaluate the status of power semiconductor devices in time. The traditional methods of condition monitoring are based primarily on the identification of electrical, magnetic, and thermal parameters. In recent years, studies have found that power semiconductor devices can generate stress waves when they are turned on and off, which can be detected by aco...
S
SunView 深度解读
该研究对应力波监测技术的探讨,对阳光电源的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)具有极高的应用价值。目前阳光电源在iSolarCloud平台已实现数字化运维,引入应力波检测技术可作为现有电气参数监测的有效补充,实现对IGBT/SiC模块更早期的亚健康状态识别。建议研发团队关注该技术在功率模块封装级故障诊断中的应用,以提升产品在极端工况下的可靠性与寿命预测精度,进一步降低运维成本。