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基于GaN的单相T型图腾柱整流器及其全范围ZVS控制与无功功率调节

Single-Phase GaN-Based T-Type Totem-Pole Rectifier With Full-Range ZVS Control and Reactive Power Regulation

作者 Jingjing Sun · Liyan Zhu · Ruiyang Qin · Daniel J. Costinett · Leon M. Tolbert
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年2月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 GaN器件 PFC整流 宽禁带半导体 单相逆变器
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 GaN T型整流器 图腾柱 ZVS 无功功率调节 临界导通模式 功率因数
语言:

中文摘要

本文提出了一种基于GaN的高效率单相图腾柱整流器,旨在作为集中式无功补偿的高效替代方案。通过在临界导通模式下实现全范围零电压开关(ZVS)调制,该方案在单位功率因数及非单位功率因数运行下均表现出优异的效率,适用于前端电源系统。

English Abstract

This article proposes a high-efficiency single-phase GaN-based rectifier with reactive power transfer for use in front-end power supplies as an efficient alternative to centralized reactive power compensation. A full-range zero-voltage switching (ZVS) modulation for both unity power factor (PF) operation and nonunity PF operation is proposed for the GaN-based rectifier in critical conduction mode ...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩产品线具有重要参考价值。随着GaN器件成本的下降,采用T型图腾柱拓扑配合全范围ZVS控制,可显著提升单相小功率变换器的功率密度与转换效率,减小体积。建议研发团队关注该调制策略在户用储能PCS及充电桩前端PFC电路中的应用,以提升产品在轻载及无功调节工况下的综合能效,进一步增强阳光电源在分布式能源及充电设施领域的竞争力。