← 返回

基于图论的半桥双有源桥

S-DAB)寄生参数潜电路分析与触发机制

作者 Yiting Xiao · Yuanpeng Guan · Li Qin · Xiong Liu · Weixiong Wu
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年8月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 DAB 双向DC-DC 可靠性分析 储能变流器PCS
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 半桥DAB DC-DC变换器 寄生参数 潜行电路 图论 可靠性 触发机制
语言:

中文摘要

本文针对半桥双有源桥(S-DAB)DC-DC变换器,研究了寄生参数与动态潜电路路径对系统可靠性与安全性的影响。通过图论方法建立了基于电流的完整潜电路模型,揭示了其触发机制,并提出了相应的抑制方法,为提升变换器运行稳定性提供了理论支撑。

English Abstract

Parasitic parameters and dynamic sneak paths would lead to unexpected phenomena, exerting negative impacts on the reliability and safety of semi-dual active bridge (S-DAB) dc–dc converter. Therefore, a graph theory-based sneak circuit characteristics analysis, trigger mechanism, and suppression method of S-DAB are proposed in this article. The complete current-based sneak path modeling is obtained...
S

SunView 深度解读

该研究直接关联阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及光储一体化产品中的核心DC-DC变换环节。S-DAB拓扑因其高功率密度常用于储能变流器(PCS)。文中提出的基于图论的潜电路分析方法,能有效识别高频开关过程中的寄生参数干扰,对于优化PCS功率模块的PCB布局、降低电磁干扰及提升极端工况下的可靠性具有重要工程价值。建议研发团队在下一代高功率密度PCS设计中引入该分析模型,以规避潜在的电路失效风险。