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一种场截止型IGBT开通过程中温度相关的dVCE/dt和dIC/dt模型
A Temperature-Dependent dVCE/dt and dIC/dt Model for Field-Stop IGBT at Turn-on Transient
| 作者 | Peng Xue · Pooya Davari |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 场截止型IGBT 开通瞬态 dVCE/dt dIC/dt 数值仿真 杂散参数 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种场截止（FS）型IGBT开通过程中dVCE/dt和dIC/dt的完整解析模型。通过数值仿真，识别了影响FS IGBT开通行为的关键杂散参数及内部物理机制。基于对开通行为的深入理解，该模型为功率器件的开关特性分析提供了理论支撑。
English Abstract
In this article, a complete expression for $dV_{CE}/dt$ and $dI_{C}/dt$ at turn-on transient of field-stop (FS) insulated gate bipolar transistor (IGBT) is proposed. With numerical simulation utilized, the critical stray elements and internal physics which have a significant impact on turn-on behavior of FS IGBT are identified. Based on the improved understanding on the turn-on behavior, the turn-...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源核心产品线（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）中功率模块的选型与驱动设计。在组串式和集中式逆变器中，IGBT开通时的dV/dt和dI/dt直接影响EMI性能、开关损耗及电压应力。通过该温度相关模型，研发团队可更精准地优化驱动电路参数，提升PowerTitan等大功率储能系统的热设计可靠性，并在高频化趋势下有效平衡效率与电磁兼容性，为iSolarCloud的智能运维提供更深层的器件级故障预测数据支持。