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通过栅极间电阻和堆叠热界面材料提高GaN HEMT封装结壳热阻的测量精度
Improved Measurement Accuracy for Junction-to-Case Thermal Resistance of GaN HEMT Packages by Gate-to-Gate Electrical Resistance and Stacking Thermal Interface Materials
| 作者 | Shengchang Lu · Zichen Zhang · Cyril Buttay · Khai Ngo · Guo-Quan Lu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 结壳热阻 热测量 JESD51-14 功率半导体 热界面材料 封装可靠性 |
语言:
中文摘要
准确测量功率器件的结壳热阻对于验证封装及转换器系统的热设计至关重要。尽管Si和SiC器件已有JESD51-14标准，但GaN器件尚无统一标准。本文提出了一种通过栅极间电阻测量和堆叠热界面材料的方法，旨在提升GaN HEMT封装结壳热阻的测量精度。
English Abstract
Accurate measurements of the junction-to-case thermal resistances of power devices or module packages are necessary for validating the thermal design of the package as well as of the entire converter system. Although accurate measurements can be obtained for Si and SiC packages by the JESD51-14 standard, no standard has been established for gallium nitride (GaN) packages. A main reason for this sh...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用日益广泛。该研究提出的结壳热阻测量方法，能够有效提升GaN器件在极端工况下的热设计可靠性。建议研发团队将其应用于户用逆变器及微型逆变器的热管理优化中，通过更精准的热参数表征，优化散热器设计，从而在保证高功率密度的同时，提升产品的长期运行可靠性，并为建立企业内部的GaN器件热测试标准提供参考。