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功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 5.0

在高压IGBT特性测试中避免开关损耗低估的脉宽设置研究

Proper Pulsewidth Setting to Avoid Underestimated Switching Loss in HV-IGBT Characterization

作者 Kun Tan · Lee Coulbeck
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2022年4月
技术分类 功率器件技术
技术标签 IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 HV-IGBT 开关损耗 双脉冲测试 脉冲宽度 热管理 功率变换器 特性表征
语言:

中文摘要

本文探讨了双脉冲测试中脉冲宽度设置对高压IGBT模块开关特性测试的影响。研究指出,不当的脉宽设置会导致开关损耗评估偏低,进而影响功率变换器的设计,特别是热管理系统的准确性。文章分析了首个导通脉宽对测试结果的影响机制。

English Abstract

This letter highlights the importance of appropriate pulsewidth duration of the double-pulse test for the high-voltage insulated gate bipolar transistor modules, in order to obtain the correct switching characterization and avoid underestimation in losses. Otherwise, it might cause improper design in power converters, especially in their thermal management. It demonstrates how the first on-state p...
S

SunView 深度解读

该研究直接关系到阳光电源核心产品(如集中式/组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)中高压IGBT模块的选型与设计。准确的开关损耗评估是优化逆变器效率及热设计(散热器选型、结温预测)的关键。建议研发团队在进行功率模块性能评估及可靠性验证时,严格遵循文中关于双脉冲测试脉宽设置的规范,以避免因损耗低估导致的散热设计裕量不足,从而提升产品在极端工况下的长期运行可靠性。