← 返回
具有超过60A浪涌电流能力的封装型氧化镓肖特基整流器
Packaged Ga2O3 Schottky Rectifiers With Over 60-A Surge Current Capability
| 作者 | Ming Xiao · Boyan Wang · Jingcun Liu · Ruizhe Zhang · Zichen Zhang · Chao Ding · Shengchang Lu · Kohei Sasaki · Guo-Quan Lu · Cyril Buttay · Yuhao Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | Ga2O3 肖特基势垒二极管 电力电子 热导率 电热鲁棒性 浪涌电流 封装 |
语言:
中文摘要
超宽禁带氧化镓（Ga2O3）器件在电力电子领域展现出巨大潜力，但其低热导率引发了对其电热鲁棒性的担忧。本文首次展示了采用底部冷却和双面冷却封装的大面积Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD），并验证了其在浪涌电流条件下的电热性能。
English Abstract
Ultrawide-bandgap gallium oxide (Ga2O3) devices have recently emerged as promising candidates for power electronics; however, the low thermal conductivity (kT) of Ga2O3 causes serious concerns about their electrothermal ruggedness. This letter presents the first experimental demonstrations of large-area Ga2O3 Schottky barrier diodes (SBDs) packaged in the bottom-side-cooling and double-side-coolin...
S
SunView 深度解读
氧化镓作为下一代超宽禁带半导体，其高击穿电场特性有望进一步提升光伏逆变器和储能变流器（PCS）的功率密度与效率。目前阳光电源在SiC器件应用上已处于行业领先地位，该研究关注的Ga2O3热管理与封装技术，对未来开发更高功率密度的PowerTitan储能系统及组串式逆变器具有前瞻性参考价值。建议研发团队重点关注其在高功率浪涌下的热失效机理，评估其在未来高频、高温极端工况下替代SiC的可能性，以保持公司在功率变换核心器件技术上的领先优势。