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基于SiC MOSFET的高效率能量回馈型宽输入电压直流电子负载架构
Wide Input Voltage DC Electronic Load Architecture With SiC MOSFETs for High Efficiency Energy Recycling
| 作者 | Qi Yang · Mingxie He · Jia-hua Xu · Xiang Li · Jing Zhu · Zhiliang Zhang · Zhanbiao Gu · Xiaoyong Ren · Qianhong Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年12月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 LLC谐振 三电平 双向DC-DC |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 能量回馈 直流电子负载 LLC-DCX 交错并联Boost 宽输入电压 T型三电平逆变器 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于SiC器件的三级能量回馈型直流电子负载架构。通过交错Boost变换器与LLC-DCX级联，利用1200V SiC MOSFET实现高频隔离与预调节，使系统在150-750V宽输入电压范围内保持高效率。该架构在780V母线电压下采用T型三电平逆变器实现电能回馈。
English Abstract
A SiC three-stage converter architecture of energy recycling dc electronic load with high frequency isolation is proposed. With interleaving boost converters and a LLC-DCX using 1200-V SiC MOSFETs as high frequency isolation pre-regulation stage, the proposed architecture can adapt to wide input voltage of 150–750 V with high efficiency. As the bus voltage is 780 V, a T-type three-level inverter i...
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SunView 深度解读
该技术在测试设备领域具有重要应用价值，直接关联阳光电源的研发测试平台及产线老化测试系统。其采用的SiC MOSFET与LLC-DCX拓扑可显著提升能量回馈效率，降低测试过程中的电能损耗。建议将其应用于阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统的出厂老化测试环节，通过引入高效率能量回馈电子负载，降低大规模生产测试的电力成本。同时，该架构中宽电压范围的适应能力对优化光伏逆变器MPPT测试及储能PCS的宽电压范围性能验证具有参考意义。