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多芯片IGBT功率模块键合线故障的定位与检测
Localization and Detection of Bond Wire Faults in Multichip IGBT Power Modules
| 作者 | Cuili Chen · Volker Pickert · Maher Al-Greer · Chunjiang Jia · Chong Ng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年8月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 多芯片IGBT 功率模块 键合线脱落 故障诊断 通态电压 可靠性 功率循环 |
语言:
中文摘要
多芯片IGBT功率模块在功率循环中会发生退化，键合线脱落是主要失效模式之一。本文提出了一种通过分析集电极-发射极及集电极-开尔文发射极之间的通态电压来诊断键合线脱落的技术，该方法能有效识别早期故障。
English Abstract
Multichip insulated gate bipolar transistor (mIGBT) power modules (PMs) degrade over power cycling. Bond wire lift-off is one of the major failure modes. This article presents a technique to diagnose bond wire lift-off by analyzing the on-state voltages across collector and emitter terminals and the voltages across collector and Kelvin emitter terminals. The proposed method can indicate the first ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）具有极高的应用价值。作为全球领先的逆变器供应商，阳光电源的功率模块长期处于高频、大电流工况下，键合线失效是影响系统寿命的关键瓶颈。该诊断方法可集成至iSolarCloud智能运维平台，实现对组串式逆变器及PowerTitan储能系统核心功率器件的实时健康状态监测（PHM），从被动维修转向主动运维，显著提升产品全生命周期可靠性，降低运维成本。