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基于SiC MOSFET的半双有源桥DC-DC变换器多模式控制策略
Multimode Control Strategy for SiC mosfets Based Semi-Dual Active Bridge DC–DC Converter
| 作者 | Deshang Sha · Jiankun Zhang · Tengfei Sun |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年6月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 双向DC-DC 储能变流器PCS 充电桩 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 半桥双有源桥(Semi-DAB) DC-DC变换器 SiC MOSFET 多模式控制 电池充电器 移相控制 PWM 效率优化 |
语言:
中文摘要
为满足半双有源桥（semi-DAB）DC-DC变换器在电池充电应用中的全负载范围运行需求，本文提出了一种多模式控制策略。该策略在重载下采用单移相控制，轻载下结合脉宽调制（PWM）与变频控制，在极轻载下进一步优化PWM策略，有效提升了变换器的效率与运行稳定性。
English Abstract
In order to meet the full load range operation requirement for a semi-dual active bridge (semi-DAB) dc-dc converter working as a battery charger, a multimode control strategy was presented. Under heavy load, it works with single phase-shifted control. Under light load, it works with pulsewidth modulation (PWM) and variable switching frequency. Under very light load conditions, it works with PWM an...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及电动汽车充电桩业务具有重要意义。半双有源桥拓扑因其高功率密度和双向功率流特性，是储能变流器（PCS）和直流快充模块的核心。文章提出的多模式控制策略能够显著提升SiC器件在宽负载范围下的转换效率，特别是在轻载工况下的效率优化，有助于降低储能系统的待机损耗，提升充电桩的整体能效水平。建议研发团队关注该控制策略在SiC高频化设计中的应用，以进一步减小变换器体积并提升系统热管理性能。