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20kW零电压开关SiC-MOSFET并网逆变器
300kHz开关频率
| 作者 | Ning He · Min Chen · Junxiong Wu · Nan Zhu · Dehong Xu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年6月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 并网逆变器 空间矢量调制SVPWM |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC-MOSFET 零电压开关 并网逆变器 开关频率 空间矢量调制 功率密度 效率 |
语言:
中文摘要
尽管SiC-MOSFET在开关性能上优于传统Si-IGBT，但硬开关下的开关损耗随频率升高而急剧增加，限制了逆变器效率与功率密度的进一步提升。本文提出一种零电压开关（ZVS）空间矢量调制（SVM）技术，旨在解决高频化带来的损耗问题。
English Abstract
Although SiC-mosfet has significant advantages on switching performance over traditional Si-IGBT, the switching loss of SiC-mosfet devices at hard switching rises quickly with the increment in the switching frequency. This has narrowed down further possibilities of improving efficiency and power density of the grid inverter. Zero-voltage-switching (ZVS) space-vector-modulation (SVM) technique is i...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及户用储能PCS产品线具有重要参考价值。通过采用ZVS技术结合SiC器件，可显著提升开关频率至300kHz，从而大幅减小磁性元件体积，实现更高功率密度。建议研发团队评估该调制策略在PowerStack等储能变流器中的应用潜力，以优化散热设计并降低整机体积，进一步提升阳光电源在紧凑型高功率密度产品市场的竞争力。