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利用p-n结正向电压与栅极阈值电压确定器件温度的差异
Difference in Device Temperature Determination Using p-n-Junction Forward Voltage and Gate Threshold Voltage
| 作者 | Guang Zeng · Haiyang Cao · Weinan Chen · Josef Lutz |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年3月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | 可靠性分析 功率模块 热仿真 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 芯片温度 寿命估计 功率器件 温度敏感电参数 p-n 结 正向电压 栅极阈值电压 |
语言:
中文摘要
芯片温度是功率器件寿命评估的关键。本文对比了p-n结正向电压与栅极阈值电压作为温度敏感电参数（TSEP）在全封装器件温度测量中的准确性与差异，旨在提升功率模块在实际运行中的热监测精度与可靠性评估水平。
English Abstract
Determination of chip temperature is a key element in the lifetime estimation of power devices. There are several temperature sensitive electrical parameters for this purpose, which allow accurate measuring of the chip temperature on fully packaged devices. Among all these parameters, the forward voltage of a p-n junction is probably the most widely used parameter for temperature determination of ...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心产品线，如组串式/集中式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统。功率模块（IGBT/SiC）的结温监测是提升系统可靠性与寿命预测的关键。通过对比不同TSEP的测量精度，阳光电源可优化逆变器与PCS的在线热管理策略，实现更精准的过温保护与寿命预警，从而降低运维成本，提升iSolarCloud平台的故障诊断与健康管理（PHM）能力，确保产品在极端工况下的长期稳定运行。