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一种采用IPD技术集成GaN和CMOS的300-MHz微型谐振DC-DC变换器
A Miniature 300-MHz Resonant DC–DC Converter With GaN and CMOS Integrated in IPD Technology
| 作者 | Ming-Jei Liu · Shawn S. H. Hsu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年11月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DC-DC变换器 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 300-MHz 谐振 DC-DC 变换器 GaN CMOS IPD 技术 E 类 栅极驱动技术 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种采用谐振门极驱动技术的300-MHz E类DC-DC变换器。该驱动器利用谐波整形网络和RC反馈增强输出电压摆幅，E类功率变换器通过最小化电压电流重叠来提升效率。研究采用0.25-μm GaN HEMT与0.18-μm CMOS工艺进行功率器件与控制电路集成。
English Abstract
A 300-MHz class-E dc-dc converter using the resonant gate driving technique is proposed. The gate driver utilizes the harmonic shaping network and RC feedback to enhance the output swing voltage, and the class-E power converter can minimize the voltage-current overlap to improve efficiency. With the 0.25-μm GaN high-electron-mobility transistor and 0.18-μm CMOS for the switching power device and t...
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SunView 深度解读
该研究展示了高频化与集成化（IPD技术）在功率变换中的潜力。对于阳光电源而言，虽然300MHz超高频目前主要应用于消费电子或小型化模块，但其核心技术——GaN器件的驱动优化与高频谐振拓扑，对公司未来研发更高功率密度、更小体积的户用逆变器及微型逆变器具有前瞻性参考价值。建议关注该技术在降低功率模块寄生参数及提升开关频率方面的进展，以探索其在下一代高功率密度光伏及储能变换器中的应用可行性。