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功率MOSFET和IGBT晶体管的热阻抗测量仪
Thermal Impedance Meter for Power mosfet and IGBT Transistors
| 作者 | Vitaliy Ivanovich Smirnov · Viacheslav Andreevich Sergeev · Andrey Anatolievich Gavrikov · Anton Mihailovich Shorin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 热阻抗 功率MOSFET IGBT 调制方法 加热电流 脉冲序列 热测量 |
语言:
中文摘要
本文介绍了一种用于功率MOSFET和IGBT热阻抗测量的调制方法及装置。通过谐波变化的功率对被测器件进行加热，利用脉冲宽度呈谐波变化的加热电流序列，实现了对器件热阻抗的精确测量，并给出了实验验证结果。
English Abstract
Modulation method and the device for thermal impedance measuring of power mosfets and IGBT transistors, and measurement results are described. The measurements were performed by generic modulation method that implies heating a device under test by power varying harmonically. A pulse sequence of heating current, with the pulse length varying harmonically, is passed through the device under test. Th...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线至关重要。功率模块（IGBT/SiC）是光伏逆变器和储能变流器（PCS）中热失效的高发区。通过引入该热阻抗测量方法，研发团队可更精准地评估PowerTitan储能系统及组串式逆变器中功率模块的结温特性，优化散热设计与寿命预测模型。建议将此测试方法集成至iSolarCloud的设备健康管理模块中，通过在线监测热阻抗变化，提前预警功率器件老化，提升电站运维的可靠性与安全性。