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电压相关电容器的SPICE仿真研究

On SPICE Simulation of Voltage-Dependent Capacitors

作者 Ilya Zeltser · Shmuel Ben-Yaakov
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2018年5月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 电压相关电容 SPICE仿真 总电容 局部电容 非线性电容 电路建模
语言:

中文摘要

本文探讨了电压相关电容器的两种定义:总电容Ct(v)=Q/v和局部电容Cd(v)=dQ/dv。分析了两者在电荷注入测量及介电材料特性推导中的适用性,并针对SPICE仿真中如何准确建模非线性电容特性提供了理论依据与方法。

English Abstract

The capacitance of voltage-dependent capacitors can be defined in two ways: as “total capacitance” Ct(v) = Q/v and “local capacitance” Cd(v) = dQ/dv. The former is applicable to cases when the capacitance is measured by a charge injection or when the total capacitance is derived from the properties of the dielectric material. The “local capacitance” is applicable in cases when the capacitor is mea...
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SunView 深度解读

在阳光电源的高功率密度产品(如PowerTitan储能系统及组串式逆变器)中,广泛应用了SiC/GaN等宽禁带半导体器件,其结电容具有显著的电压相关性。准确的非线性电容建模对于优化高频开关电路的损耗分析、EMI抑制及驱动电路设计至关重要。建议研发团队在仿真平台中引入Cd(v)模型,以提升对高频变换器动态响应和开关损耗预测的精度,从而进一步优化逆变器与PCS产品的效率与可靠性。