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基于宽禁带半导体的变换器结构中共模发射的建模与验证
Modeling and Validation of Common-Mode Emissions in Wide Bandgap-Based Converter Structures
| 作者 | Andrew N. Lemmon · Aaron D. Brovont · Christopher D. New · Blake W. Nelson · Brian T. DeBoi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年8月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 组串式逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带 电力变换器 共模发射 EMI 开关 建模 验证 |
语言:
中文摘要
采用宽禁带（WBG）半导体设计的现代功率变换器，因其高边沿速率和高频开关特性，会产生显著的传导电磁干扰（EMI）。本文提供了一种推导共模等效模型的综合方法，有助于分析这种增强的EMI特征。
English Abstract
Modern power converters designed with wide band-gap (WBG) semiconductors are known to generate substantial conducted electromagnetic interference (EMI) as a side effect of high-edge-rate and high-frequency switching. This article provides a consolidated treatment of an approach to the derivation of common-mode equivalent models that are useful for analyzing this increased EMI signature. Also inclu...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高开关频率演进，SiC等宽禁带器件的应用日益广泛，EMI问题成为产品认证与电磁兼容设计的核心挑战。本文提出的共模建模方法，可直接指导研发团队在设计阶段优化PCB布局与磁性元件参数，降低传导干扰。建议将该建模方法集成至iSolarCloud智能运维平台的辅助设计工具中，提升产品在复杂电网环境下的电磁兼容性，缩短研发周期，确保产品符合严苛的国际电磁标准。