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电压相关电容器的SPICE仿真研究
On SPICE Simulation of Voltage-Dependent Capacitors
Ilya Zeltser · Shmuel Ben-Yaakov · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
本文探讨了电压相关电容器的两种定义：总电容Ct(v)=Q/v和局部电容Cd(v)=dQ/dv。分析了两者在电荷注入测量及介电材料特性推导中的适用性，并针对SPICE仿真中如何准确建模非线性电容特性提供了理论依据与方法。
解读: 在阳光电源的高功率密度产品（如PowerTitan储能系统及组串式逆变器）中，广泛应用了SiC/GaN等宽禁带半导体器件，其结电容具有显著的电压相关性。准确的非线性电容建模对于优化高频开关电路的损耗分析、EMI抑制及驱动电路设计至关重要。建议研发团队在仿真平台中引入Cd(v)模型，以提升对高频变换器...
快速开关条件下SiC功率MOSFET三种端间电容模型的精度研究
Accuracy of Three Interterminal Capacitance Models for SiC Power MOSFETs Under Fast Switching
Roger Stark · Alexander Tsibizov · Neha Nain · Ulrike Grossner 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
本文全面分析了具有横向沟道的垂直结构碳化硅（SiC）功率MOSFET的非线性电压相关电容，重点研究了快速开关瞬态过程。通过二维TCAD仿真提取了依赖于栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）的电容特性（Cgs, Cgd, Cds），并评估了三种不同模型在高速开关环境下的精度。
解读: SiC器件是阳光电源提升逆变器功率密度和转换效率的核心。随着组串式逆变器及PowerTitan储能系统向更高开关频率发展，精确的电容模型对于优化驱动电路设计、抑制电压尖峰及降低电磁干扰（EMI）至关重要。本文提出的建模方法可直接应用于阳光电源功率模块的选型与驱动参数优化，有助于提升系统在极端工况下的...