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基于金刚石散热器封装的热-力分析与优化以提升GaN HEMT性能
Thermal-Mechanical Analysis and Optimization of Diamond Heat Sink Packaging for Enhancing GaN HEMT Performance
Peng Pan · Zujun Peng · Ke Li · Wei Wang · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月
本研究分析了以金刚石为散热基板的功率芯片封装结构的热-力特性,显著提升了GaN HEMT的性能。通过优化纳米银焊膏焊接工艺,实现了芯片与金刚石散热体间的可靠集成,有效增强了热点区域的散热能力。理论模拟表明,相较于传统MoCu散热器,金刚石散热器具有更优的散热性能和更低的热应力。实验结果表明,在27.3 W功耗下,结到壳的热阻降低53.4%,芯片表面最高温度下降45.3%,直流输出电流提升9.2%,且功率循环寿命超过33万次无失效,验证了金刚石散热封装在提升高功率器件热电性能与可靠性方面的有效性。
解读: 该金刚石散热封装技术对阳光电源功率器件热管理具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,GaN HEMT器件的高功率密度应用面临严峻散热挑战。研究展示的金刚石散热方案可使结壳热阻降低53.4%、芯片温度下降45.3%,直接提升器件电流输出能力9.2%,这对提高PowerTitan储...