Xin Yang · Mengwei Xu · Qiao Li · Ziru Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

SiC MOSFET的高速开关特性与低阻尼特性易引发开关振荡，严重影响系统可靠性。本文通过将SiC MOSFET与二极管视为双端口网络，对开通与关断过程中的振荡进行精确分析，并提出了一种RC缓冲电路的优化设计方法，以有效抑制振荡并提升电力电子系统的可靠性。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。随着公司组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器向高功率密度、高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。该文提出的RC缓冲电路优化设计方法，能有效解决SiC MOSFET高速开关带来的电压尖峰与振荡问题，直接提升功率模块...