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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

用于并联SiC MOSFET电流均衡的辅助支路有源门极驱动器

Active Gate Driver With Auxiliary Branch for Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs

Cen Chen · Ziqi Tao · Sibao Ding · Lianyu Su 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

在高功率应用中,SiC MOSFET并联技术常用于提升电流容量。然而,开关过程中的动态电流不平衡会导致功率和热分布不均,影响系统稳定性。本文提出了一种带辅助支路的主动门极驱动电路(AGD),旨在解决并联SiC MOSFET的电流不平衡问题,提升系统整体可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有极高价值。随着大功率逆变器和PCS模块向更高功率密度演进,SiC器件的并联应用已成为主流。该主动门极驱动方案能有效解决并联器件间的动态电流不平衡,降低开关损耗并提升热管理水平,从而显著提高高功率密度产品的可靠性与寿...

拓扑与电路 三电平 DC-DC变换器 PWM控制 ★ 4.0

不平衡负载下三电平Boost变换器ZVS优化调制方法

Optimized Modulation Method for Three-Level Boost Converter With ZVS Under Unbalanced-Load Operation

Zhou He · Hongfa Ding · Ziqi Zhang · Zibo Chen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

三电平(TLB)Boost变换器是双极性直流微电网的关键接口。在正负直流母线功率不平衡时,传统调制方法难以实现全开关管零电压开关(ZVS),且存在峰值电流过高及电感饱和风险。本文提出了一种优化调制(OM)方法,有效解决了上述问题,提升了变换效率与可靠性。

解读: 该研究针对三电平Boost拓扑在不平衡负载下的控制优化,对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及直流微电网解决方案具有重要参考价值。在双极性直流母线应用场景中,该调制策略能有效降低开关损耗并抑制电感饱和风险,有助于提升PCS产品的功率密度和转换效率。建议研发团队在储...

拓扑与电路 DC-DC变换器 光伏逆变器 功率模块 ★ 5.0

一种改进的交错电容钳位DC-DC变换器及其非谐振软开关技术

A Modified Interleaved Capacitor Clamped DC–DC Converter With Non-Resonant Soft Switching

Hong Li · Haitao Du · Yangbin Zeng · Zhidong Qiu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

针对光伏及燃料电池低压输出需升压至400V以上直流母线的需求,本文提出了一种改进的交错电容钳位DC-DC变换器。该拓扑通过非谐振软开关技术,在降低成本的同时实现了高增益与高效率转换,有效解决了传统升压变换器在可再生能源应用中的效率与功率密度瓶颈。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器(如SG系列)及户用光伏系统具有重要参考价值。光伏组件输出电压较低,通过该高增益、非谐振软开关DC-DC拓扑,可有效提升前级升压电路的转换效率,减小磁性元件体积,从而提升整机功率密度。此外,该技术有助于降低系统散热压力,提升产品在极端工况下的可靠性。建议研发团队评估该拓...

电动汽车驱动 ★ 4.0

基于镓掺杂实现高阈值稳定性的GeSe基选择器专用存储器

High-Threshold-Stability GeSe-Based Selector-Only Memory Enabled by Gallium Doping

Yaru Zhang · Jinyu Wen · Chuanqi Yi · Lun Wang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月

仅选择器存储器(SOM)利用 Ovonic 阈值开关(OTS)器件中的阈值电压($V_{th}$)漂移来存储数据,因其低延迟、高密度和成本效益高,已成为一种颇具前景的存储级存储器(SCM)候选方案。然而,$V_{th}$的不稳定性,包括可变性和漂移,仍然是一个主要的可靠性挑战。在此,我们提出一种镓(Ga)掺杂策略来增强$V_{th}$的稳定性。在双势阱 OTS 模型的指导下,我们采用从头算分子动力学(AIMD)计算,分析了各种掺杂剂对 SOM 材料中决定$V_{th}$稳定性的配位数(CNs)和...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于镓掺杂GeSe的选择器存储器技术虽属半导体存储领域,但其底层技术原理对我司储能系统和智能化产品具有重要参考价值。 该技术的核心突破在于通过镓掺杂显著提升了阈值电压的稳定性,这与我司储能系统中电池管理系统(BMS)和功率控制单元面临的挑战存在相似性。储能系统要求在宽...