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高频与超高频功率变换器中的有源功率器件选型
Active Power Device Selection in High- and Very-High-Frequency Power Converters
Grayson Zulauf · Zikang Tong · James D. Plummer · Juan Manuel Rivas-Davila · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
本文旨在为兆赫兹(MHz)频率下的软开关功率变换器提供功率器件选型指南。在超高频应用中,功率半导体寄生输出电容(COSS)的充放电损耗是制约效率的关键因素,但该损耗通常未在厂商数据手册中明确标注。本文通过分析与测量,为高频变换器的器件评估与选型提供了重要参考。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及户用储能系统向高功率密度、小型化方向发展,开关频率的提升已成为技术演进的必然趋势。本文关于MHz级频率下COSS损耗的分析,对公司研发下一代基于SiC/GaN的宽禁带半导体功率模块具有重要指导意义。建议研发团队在PowerTitan等储能系统及新一代组串式逆变器的拓扑设计中...
高频电力应用中三维打印空心变压器的设计与制造
Design and Fabrication of Three-Dimensional Printed Air-Core Transformers for High-Frequency Power Applications
Zikang Tong · Weston D. Braun · Juan Manuel Rivas-Davila · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月
本文提出了一种利用3D打印和电镀工艺制造环形空心变压器的方法。针对高频功率应用,传统绕线式空心变压器结构简单且铜填充率低,而该方法通过3D打印技术突破了传统制造限制,实现了更复杂的几何结构,提升了高频下的磁性元件性能。
解读: 该技术主要针对高频电力电子变换器中的磁性元件优化。对于阳光电源而言,随着组串式逆变器和户用储能系统(如PowerStack)向更高功率密度和更高开关频率发展,磁性元件的体积和损耗成为瓶颈。3D打印空心变压器技术有助于在GaN或SiC等宽禁带半导体应用场景下,实现更紧凑的磁集成设计,减少高频趋肤效应带...
在高频及超高频功率变换器中利用碳化硅功率器件的技术研究
On the Techniques to Utilize SiC Power Devices in High- and Very High-Frequency Power Converters
Zikang Tong · Lei Gu · Zhechi Ye · Kawin Surakitbovorn 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月
本文探讨了在高频应用中使用碳化硅(SiC)功率器件实现谐振变换器所面临的挑战,重点分析了高寄生电感封装的影响,以及在这些频率下驱动和增强MOSFET性能的关键技术。文章对比了硅基和氮化镓等不同器件技术,为高频电力电子设计提供了参考。
解读: SiC器件是阳光电源提升逆变器与储能系统功率密度的核心技术。针对组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统,高频化是减小磁性元件体积、提升效率的关键。本文提出的封装寄生电感优化及驱动技术,对阳光电源优化下一代高频电力电子拓扑、降低开关损耗具有直接指导意义。建议研发团队重点关注S...