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一种集成栅极驱动器的200°C碳化硅半桥功率模块:开发、性能评估与未来路径
A 200 ∘C SiC Phase-Leg Power Module With Integrated Gate Drivers: Development, Performance Assessment, and Path Forward
Pengyu Lai · Sudharsan Chinnaiyan · Zhuowen Feng · Salahaldein Ahmed Rmila 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年3月
为减小电力电子系统的体积、重量和成本,本文提出一种基于高温碳化硅(SiC)的半桥功率模块。通过在低温共烧陶瓷(LTCC)基板上集成两个栅极驱动器,降低栅极回路电感并实现小型化。介绍了LTCC驱动器的设计与制备工艺,并讨论了模块的布局设计、仿真及材料选择。采用耐高温材料使模块可在高达200°C下工作。在25°C至200°C范围内开展双脉冲测试,测得开关dv/dt为10–15 V/ns,高温下性能退化不明显。当前模块温度上限受限于栅极驱动IC,后续将研发高温驱动IC以提升热可靠性,为高密度高温功率模...
解读: 该200°C高温SiC半桥模块技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。LTCC集成栅极驱动方案可降低寄生电感、提升开关速度(dv/dt达10-15V/ns),直接适用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率模块优化,提升功率密度和效率。200°C耐温能力可减少散热系统体积,支持PowerTit...