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可靠性与测试 故障诊断 功率模块 可靠性分析 ★ 3.0

一种低内存消耗的双三相永磁同步电机驱动器多开路故障诊断方法

A Low Memory-Consuming Diagnosis Method for Multiple Open-Circuit Faults of Dual Three-Phase PMSM Drives

Zhongchen Li · Qiang Geng · Feng Zhu · Zhanqing Zhou 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

现有的基于电流信号的开路故障诊断方法通常需要实时分析大量历史数据,导致内存占用过高,难以在线实现。为解决此问题,本文提出了一种基于电流轨迹特征的综合开路故障诊断方法,显著降低了计算资源需求,提升了系统在线诊断的实用性。

解读: 该研究提出的低内存、高效故障诊断技术对阳光电源的风电变流器及电动汽车驱动系统具有参考价值。在风电变流器中,多相电机驱动系统的可靠性至关重要,该方法有助于在嵌入式控制器(如DSP/FPGA)资源受限的情况下,实现对功率模块开路故障的快速定位,从而提升系统的容错运行能力。建议研发团队关注该算法在复杂电力...

控制与算法 故障诊断 PWM控制 ★ 3.0

双三相永磁同步电机开路故障下全转矩运行范围内的最小铜耗自然容错控制

Natural Fault-Tolerant Control With Minimum Copper Loss in Full Torque Operation Range for Dual Three-Phase PMSM Under Open-Circuit Fault

Qiang Geng · Zhongchen Li · Huimin Wang · Guozheng Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

针对双三相永磁同步电机在开路故障下的容错控制,本文提出了一种全转矩范围内的最小损耗控制策略。通过分析转矩子空间与谐波子空间之间的电流关系,推导出满足全转矩范围最小铜耗的谐波子空间电流参考值,有效平衡了容错性能与控制复杂度。

解读: 该研究聚焦于多相电机驱动系统的容错控制与损耗优化,虽然阳光电源目前的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及风电变流器,但该技术在风电变流器(特别是大功率多相发电机侧变流器)以及未来潜在的工业驱动业务中具有参考价值。其提出的“最小铜耗”与“容错控制”算法逻辑,可优化风电变流器在极端工况下的效率与可靠性...

拓扑与电路 储能变流器PCS 双向DC-DC 并网逆变器 ★ 4.0

基于反向耦合电感的单级双向隔离式DC-AC变换器

Novel Single-Stage Bidirectional Isolated DC–AC Converter Based on Inversely Coupled Inductor

Chuang Liu · Yu Jiang · Zhongchen Pei · Mengxue Shen 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文提出了一种基于反向耦合电感的新型单级双向隔离式DC-AC变换器,适用于级联DC-AC固态变压器拓扑。该方案通过简单的调制策略实现了直接的单级功率传输,并详细阐述了其工作原理。

解读: 该拓扑通过反向耦合电感实现单级功率变换,显著简化了电路结构并提升了功率密度,这对阳光电源的储能变流器(如PowerTitan系列)及固态变压器技术具有重要参考价值。单级变换架构有助于减少功率器件数量,降低系统损耗,从而提升储能系统的整体效率。建议研发团队评估该拓扑在工商业储能及中压并网场景下的应用潜...

拓扑与电路 SiC器件 IGBT 功率模块 ★ 5.0

混合SiC-Si直流-交流拓扑:SHEPWM Si-IGBT主单元处理高功率,集成部分功率SiC-MOSFET从单元以提升性能

Hybrid SiC-Si DC–AC Topology: SHEPWM Si-IGBT Master Unit Handling High Power Integrated With Partial-Power SiC-MOSFET Slave Unit Improving Performance

Chuang Liu · Kehao Zhuang · Zhongchen Pei · Di Zhu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

本文基于部分功率变换概念,提出了一种混合SiC-Si直流-交流拓扑以提升高功率应用性能。主单元(MU)采用低频工作的Si-IGBT处理主要高功率,以发挥其大电流容量优势;从单元(SU)采用SiC-MOSFET补偿MU的低开关频率带来的电能质量问题,从而在保持高效率的同时实现高功率密度。

解读: 该拓扑通过Si-IGBT与SiC-MOSFET的混合应用,巧妙平衡了成本与效率,对阳光电源的组串式逆变器和大型集中式逆变器具有重要参考价值。在高功率密度要求日益严苛的背景下,该技术可显著降低开关损耗并优化电能质量。建议研发团队评估该混合拓扑在PowerTitan系列储能变流器及大功率光伏逆变器中的应...