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基于动态阈值电压提取的SiC MOSFET在线结温测量
Online Junction Temperature Measurement for SiC MOSFET Based on Dynamic Threshold Voltage Extraction
Xi Jiang · Jun Wang · Hengyu Yu · Jianjun Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月
本文提出了一种基于动态阈值电压的SiC MOSFET在线结温监测方法。该方法不依赖于负载电流变化，消除了复杂校准过程，为关键电力电子变换器的可靠运行提供了有效的结温估计方案。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，结温的精准在线监测是提升系统可靠性、实现预测性维护的关键。该方法无需负载电流校准，易于集成至iSolarCloud平台或嵌入式控制系统中...
一种基于三电流阈值法的开关磁阻电机直接驱动无传感器启动方案
A Direct Drive Sensorless Starting Scheme Based on Triple Current Threshold Method in Switched Reluctance Machines for Low-Cost Current Sampling Applications
Xiaoqiang Guo · Shuanggui Zeng · Min Wu · Rui Zhong 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文提出了一种开关磁阻电机（SRM）的直接驱动无传感器启动方案。通过对比不同电流阈值方法在精度、脉冲电流、负转矩及转矩脉动等方面的性能，提出了一种高精度、低成本的电流采样启动策略，有效解决了无传感器控制下的启动难题。
解读: 该研究聚焦于开关磁阻电机（SRM）的无传感器控制与低成本电流采样技术。虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能系统及风电变流器领域，但该技术在电机驱动控制算法上的优化思路，可为公司电动汽车充电桩内部的辅助冷却系统电机控制，或风电变流器中涉及的电机驱动控制提供算法参考。此外，其强调的“低成本采样”...
双芯片封装碳化硅肖特基势垒二极管的浪涌电流能力
Surge Current Capability of Dual-Chip Packaged SiC Schottky Barrier Diodes
Bin Zhang · Hongliang Zhang · Zi'ang Zhao · Qiang Liu 等11人 · Journal of Electronic Packaging · 2026年2月 · Vol.148
浪涌电流能力是SiC肖特基二极管在功率变换器中应用的关键参数。本文对比单芯片与双芯片封装SiC SBD的非重复浪涌电流能力，发现相同功率下双芯片方案更具优势；并基于电热耦合模型实现高精度预测（误差<2.8%），验证了模型工程适用性。
解读: 该研究直接支撑阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中SiC功率模块的浪涌鲁棒性设计。双芯片封装结构可提升直流侧防雷/短路工况下的瞬态耐受能力，建议在下一代1500V+高压平台产品中优先导入该封装方案，并结合iSolarCloud平台集成电热模型实现实时寿命评估。...