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单相高频隔离逆变器的并联运行控制
Parallel Operation Control of a Single-Phase High-Frequency Isolated Inverter
Wenjie Zhu · Yu Sun · Yunfei Li · Zhiyu Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月
本文提出了一种简化的有源钳位电路，并设计了相应的调制策略，可有效抑制变压器副边输出电压尖峰。该钳位电路为副边漏感电流和滤波电感电流提供了额外的换流路径，避免了电压过冲。文中详细分析了电路工作模态，给出了开关器件实现零电压切换（ZVS）的边界条件及其导通损耗。基于隔离逆变器的特殊电路结构，搭建了单相高频隔离逆变器并联实验样机，并提出了相应的控制策略。实验结果表明，简化型有源钳位电路具有优异的电压尖峰抑制能力，结合强鲁棒性的下垂控制，显著提升了并联系统的功率分配性能，并有效降低了系统的无功功率。
解读: 该单相高频隔离逆变器并联控制技术对阳光电源储能及充电产品线具有重要应用价值。简化型有源钳位电路可有效抑制变压器副边电压尖峰，实现开关器件ZVS软开关，可直接应用于ST系列储能变流器的隔离级设计，降低开关损耗并提升系统效率。基于下垂控制的并联策略对PowerTitan大型储能系统的模块化扩展具有指导意...
基于移相全桥与自适应辅助电流的快速脉冲焊接电源研究
Research on fast-frequency pulsed welding power supply based on phase-shifted full bridge with adaptive auxiliary current
Zhiyu He · Yuhai Wang · Zeguang Zhu · Qin Zhang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年7月
高频逆变电源是现代工业电弧焊电源的重要发展方向。本文针对26kW快频脉冲碳化硅（SiC）焊接电源，提出一种基于自适应增强辅助电流原理的移相全桥拓扑。相比传统移相全桥，仅增加一个辅助变压器、电感和电容，即可实现全负载范围内所有开关管的零电压开通。较低的变压器漏感有效减小了占空比损耗和二极管振荡，降低环流导通损耗，提升轻载效率，抑制硬开关噪声，有利于高功率下采用更高开关频率的SiC半桥模块。基于辅助变压器与高频变压器的等效模型，分析了稳态工作原理，详细研究了漏感与辅助电感对零电压开通的影响，并探讨了...
解读: 该移相全桥ZVS技术对阳光电源SiC功率模块应用具有重要参考价值。文中提出的自适应辅助电流方案可实现全负载范围零电压开通，有效抑制开关损耗和EMI噪声，这与阳光电源ST储能变流器、SG光伏逆变器中的高频隔离DC-DC变换器设计需求高度契合。特别是100kHz开关频率下26kW功率等级的验证，可直接应...
基于Si p-隧道场效应晶体管和ITO n-场效应晶体管的低功耗三维CMOS反相器演示
Demonstration of Low-Power Three-Dimensional CMOS Inverters Based on Si p-Tunnel FET and ITO n-FET
Anyu Tong · Kaifeng Wang · Qianlan Hu · Zhiyu Wang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月
本研究基于垂直堆叠的前道制程（FEOL）p 型硅隧穿场效应晶体管（TFET）与后道制程（BEOL）n 型铟锡氧化物（ITO）场效应晶体管的异质三维集成，展示了低功耗互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器和 5 级环形振荡器（RO）。由于 p 型和 n 型场效应晶体管的关态电流均较低，我们的 ITO/TFET 异质三维集成 CMOS 反相器在 ${\text{V}}_{\text {dd}}=1$ V 时静态功耗低至 4.83 pW，在 ${\text{V}}_{\text {dd}}=2.5$ ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于三维异质集成的超低功耗CMOS技术展现出值得关注的应用潜力。该技术通过垂直堆叠硅基p型隧穿晶体管与ITO n型晶体管，实现了4.83 pW的极低静态功耗和522 V/V的高电压增益，这些特性与我们在光伏逆变器和储能系统中对功率控制芯片的核心需求高度契合。 在光伏逆...