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考虑栅漏电容非线性的SiC MOSFET串扰峰值预测算法
A Predictive Algorithm for Crosstalk Peaks of SiC MOSFET by Considering the Nonlinearity of Gate-Drain Capacitance
Hong Li · Yanfeng Jiang · Zhidong Qiu · Yuting Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文提出了一种精确预测SiC MOSFET串扰峰值的算法，该算法首次考虑了栅漏电容（Cgd）的非线性特性。通过对Cgd微分表达式的分析，该方法能更准确地指导SiC MOSFET驱动电路与保护电路的设计，有效提升电力电子系统的可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，串扰问题成为影响系统可靠性的关键挑战。该算法通过精确建模Cgd非线性，能够优化驱动电路设计，减少误导通风险，从而提升阳光电源核心功率模块的抗干扰能力。建议研发团队将其集成至驱...
基于负反馈机制的SiC器件快速开关与串扰抑制有源门极驱动
The Active Gate Drive Based on Negative Feedback Mechanism for Fast Switching and Crosstalk Suppression of SiC Devices
Tiancong Shao · Trillion Q. Zheng · Hong Li · Jianqiang Liu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
本文提出了一种用于碳化硅（SiC）器件的负反馈有源门极驱动（NFAGD）电路。通过引入辅助P沟道MOSFET构建负反馈控制机制，在相腿配置中有效平衡了SiC器件的高速开关能力与串扰抑制需求，优化了开关过程的动态性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。该负反馈驱动技术能有效解决SiC在高频切换下的电压尖峰与串扰问题，提升系统效率并降低EMI滤波器成本。建议研发团队在下一代高频化...
一种改进的交错电容钳位DC-DC变换器及其非谐振软开关技术
A Modified Interleaved Capacitor Clamped DC–DC Converter With Non-Resonant Soft Switching
Hong Li · Haitao Du · Yangbin Zeng · Zhidong Qiu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
针对光伏及燃料电池低压输出需升压至400V以上直流母线的需求，本文提出了一种改进的交错电容钳位DC-DC变换器。该拓扑通过非谐振软开关技术，在降低成本的同时实现了高增益与高效率转换，有效解决了传统升压变换器在可再生能源应用中的效率与功率密度瓶颈。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器（如SG系列）及户用光伏系统具有重要参考价值。光伏组件输出电压较低，通过该高增益、非谐振软开关DC-DC拓扑，可有效提升前级升压电路的转换效率，减小磁性元件体积，从而提升整机功率密度。此外，该技术有助于降低系统散热压力，提升产品在极端工况下的可靠性。建议研发团队评估该拓...