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一种具有优异抗偏移能力的LCC补偿IPT系统高磁集成方法
A Highly Magnetic Integrated Method of LCC-Compensated IPT System With Excellent Misalignment Tolerance
Ke Shi · Tianxu Feng · Jincheng Jiang · Peiyue Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
紧凑性和有效性是感应电能传输（IPT）系统的核心考量。本文提出了一种LCC补偿IPT系统的高磁集成方法，通过将耦合线圈集成到耦合器中，提升了系统的抗偏移能力，并实现了零电压开关（ZVS）条件。该方法优化了原边耦合器结构，显著提升了功率传输效率与空间利用率。
解读: 该技术主要针对无线电能传输（IPT）领域，与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有潜在关联。虽然目前主流充电桩以有线为主，但随着大功率无线充电技术在乘用车及商用车领域的商业化进程，该高磁集成方法可提升充电桩的抗偏移性能和功率密度，有助于优化阳光电源充电桩产品的耦合器设计。建议研发团队关注该技术在提升充电效...
1100 V、600 A/cm² 4H-SiC 横向IGBT
1100-V, 600-A/cm2 4H-SiC Lateral IGBT on N-Sub/N-Epi Stack With P-Top Protected Lightly Doped Drift Region
Jie Ma · Mengyao Zhao · Tianchun Nie · Yong Gu 等12人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年12月 · Vol.47
本文报道了一种基于N型衬底/N型外延结构的1100 V 4H-SiC横向IGBT，采用P型顶层保护轻掺杂漂移区，实现600 A/cm²高电流密度；低掺杂增强电导调制效应，P-top缓解栅极拐角电场集中，结合场限环提升垂直击穿电压，达到同类SiC横向器件最优BV-Iₛₐₜ折衷。
解读: 该SiC横向IGBT在高压、高电流密度和低导通损耗方面取得突破，可提升阳光电源组串式逆变器（如SG系列）和ST系列储能PCS中高频开关模块的效率与功率密度。尤其适用于高功率密度、紧凑型单面散热设计场景。建议在下一代1500V+组串逆变器及PowerStack液冷储能变流器中开展SiC IGBT模块替...