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自供电宽带光电探测与偏压可调红外光电突触：基于不对称肖特基接触Au/WSe2/1T'-MoTe2异质结的双功能器件
Self-powered broadband photodetection and bias-tunable infrared optoelectronic synapses: Dual-functional device based on asymmetric Schottky contact Au/WSe2/1T'-MoTe2 heterojunction
Hangyu Li · Danzhi Wang · Zhaofeng Zhou · Pengfei Hou · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
本文报道了一种基于不对称肖特基接触Au/WSe2/1T'-MoTe2异质结的双功能光电器件，兼具自供电宽带光电探测与红外光电突触功能。该器件在无外加电源下展现出优异的光响应性能，覆盖可见至近红外波段，并表现出高响应度和探测率。同时，通过调节栅压可实现对光诱导突触行为的连续调控，模拟了生物突触的短时程可塑性与长时程可塑性。研究为开发低功耗、多功能光电集成器件提供了新思路。
解读: 该自供电宽带光电探测技术对阳光电源光伏与储能产品具有重要应用价值。其基于异质结的自供电特性可启发SG系列光伏逆变器的MPPT算法优化，通过集成低功耗光强传感实现更精准的光照监测与功率追踪。器件的宽光谱响应（可见至近红外）特性可应用于iSolarCloud智能运维平台，实现组件级光谱分析与故障诊断。更...
基于源/漏隧道结接触实现漏极电流超过110 mA/mm的增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管
Enhancement-mode GaN/AlGaN p-channel field effect transistors with _I_ D **>** 110 mA/mm achieved through source/drain tunnel junction contacts
Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺，显著提升了空穴浓度与迁移率，实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性，最大漏极电流密度超过110 mA/mm，跨导达15 mS/mm，亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。
解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于：1）ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块，p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换；2）车载OBC和电机驱动系统，p沟道器件可简化...