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电动汽车驱动 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 4.0

基于单相IGBT开路故障下二极管导通残流统一模型的三相SPMSM容错后无传感器控制

Postfault Sensorless Control of Three-Phase SPMSM Based on Unified Model of Diode-Through Residual Current Under Single-Phase IGBT Open-Circuit Fault

Zeliang Zhang · Guangzhao Luo · Xinyu Li · Yuxuan Du 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年3月

针对经典三相半桥电机驱动在开路故障下的无传感器控制难题,提出一种利用IGBT开路相中反电动势与二极管导通残流相关性的方法。首先建立残流模型,并设计适用于不同转速的统一采样策略。基于该统一模型构建相位反电动势观测器,实现故障后转子速度与位置的精确估计。实验验证表明,该方法在稳态下估计误差为0.3 rad,加减速过程中为0.5 rad,具有良好的动态与稳态性能。

解读: 该IGBT开路故障下的无传感器容错控制技术对阳光电源电动汽车驱动产品线具有重要应用价值。研究提出的二极管导通残流统一模型可直接应用于车载OBC充电机和电机驱动系统,通过反电动势观测器实现故障后的位置估计,避免增加冗余传感器成本。该方法在稳态0.3rad、动态0.5rad的估计精度可保障ST系列储能变...