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拓扑与电路 储能变流器PCS 双向DC-DC 模型预测控制MPC ★ 5.0

多有源桥变换器的高频电流预测控制方法

High-Frequency Current Predictive Control Method for Multiactive-Bridge Converter

Shen Gao · Liqiang Yuan · Yuxuan Dai · Di Mou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

多有源桥(MAB)变换器在多端口电力电子变压器中具有效率和成本优势,但存在严重的电流耦合问题。为提升MAB的动态响应速度并降低耦合特性,本文提出了一种高频电流预测控制(CPC)方法,有效优化了多端口能量传输的控制性能。

解读: 该技术对阳光电源的储能业务(如PowerTitan、PowerStack系列)具有重要参考价值。MAB拓扑在多端口储能系统及直流微网应用中日益普及,通过引入电流预测控制(CPC),可以显著提升PCS在多电池簇或多端口接入场景下的动态响应速度,并有效解耦各端口间的电流干扰。建议研发团队在下一代高功率密...

拓扑与电路 储能变流器PCS 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

高频母线电能路由器冗余模块的无缝接入控制策略

Seamless Entry Control Strategy for Redundant Modules of High-Frequency Bus Electric Energy Router

Liqiang Yuan · Yuxuan Dai · Di Mou · Minghao Zheng 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

随着可再生能源的发展,具备多端口的高频母线电能路由器备受关注。为提升系统可靠性,应用冗余模块至关重要。然而,高频母线结构的强耦合特性在冗余模块接入时易引发瞬态扰动。本文提出了一种无缝接入控制策略,旨在抑制接入过程中的冲击电流,确保系统运行的稳定性与可靠性。

解读: 该研究关注多端口能量路由器的冗余设计与无缝切换控制,对阳光电源的PowerTitan及PowerStack储能系统具有重要参考价值。在大型储能电站中,模块化设计是提升系统可用性的核心,该文提出的无缝接入策略可有效降低PCS模块并联运行时的瞬态冲击,提升系统在故障切换或扩容时的稳定性。建议研发团队将其...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

全运行范围内模块化多有源桥变换器的无功功率最小化

Reactive Power Minimization for Modular Multi-Active-Bridge Converter With Whole Operating Range

Di Mou · Yuxuan Dai · Liqiang Yuan · Quanming Luo 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

多端口电力电子变压器(PET)在现代电力系统中广泛应用。针对“源-荷-储”宽范围运行工况下,PET中隔离型DC-DC变换器效率优化困难的问题,本文提出了一种针对模块化多有源桥(MAB)变换器的无功功率最小化控制策略,旨在提升全工况下的运行效率。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心储能业务(如PowerTitan、PowerStack系列)。多有源桥(MAB)拓扑是实现多端口能量变换的关键,通过优化无功功率控制,可显著提升储能变流器(PCS)在宽电压范围下的转换效率,降低损耗。建议研发团队参考该无功优化策略,将其集成至iSolarCloud智能运维...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

集成高K栅介质与分裂栅的4H-SiC超级结MOSFET

4H-SiC superjunction MOSFET with integrated high-K gate dielectric and split gate

Jiafei Yao1Zhengfei Yang1Yuxuan Dai1Ziwei Hu1Man Li2Kemeng Yang2Jing Chen2Maolin Zhang2Jun Zhang2Yufeng Guo2 · 半导体学报 · 2025年8月 · Vol.46

本文提出一种集成高K(HK)栅介质与分裂栅(SG)的4H-SiC超级结MOSFET(HKSG-SJMOS)。该器件采用高K介质作为包围源极连接分裂栅与金属栅的栅介质,优化漂移区电场分布,形成低阻导电通道,提升击穿电压(BV)并降低比导通电阻(Ron,sp)。分裂栅结构结合高K介质有效减小栅-漏电容(Cgd)与栅-漏电荷(Qgd),改善开关特性。仿真结果表明,相较于传统器件,HKSG-SJMOS的优值(FOM=BV²/Ron,sp)提升110.5%,高频优值(Ron,sp·Cgd)降低93.6%,...

解读: 该HKSG-SJMOS技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。其110.5%的FOM提升和93.6%的Ron,sp·Cgd降低,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的SiC功率模块设计,显著降低导通损耗和开关损耗(开通/关断损耗分别减少38.3%/31.6%)。高K介质与分裂栅结构有效...