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电力电子变换器等效性的计算机辅助识别
Computer-Aided Identification of Equivalent Power Electronics Converters
Guipeng Chen · Liping Mo · Yuwei Liu · Xinlin Qing 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月
本文提出了一种计算机辅助方法，用于识别具有相同性能特征但配置不同的等效电力电子变换器（PECs）。该方法旨在避免在研发过程中对本质相同的拓扑进行重复研究，从而显著降低研发工作量，提升电力电子系统的设计效率。
解读: 该研究对于阳光电源的研发体系具有重要价值。在光伏逆变器（如组串式、集中式）及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）的开发过程中，拓扑创新是核心竞争力。通过计算机辅助识别等效拓扑，研发团队可以快速筛选出具有专利价值的新型拓扑，避免在已有的等效电路设计上浪费算力与人力。此外，该技术有助...
系统级仿真中高功率IGBT模块芯片级电热应力计算方法
Chip-Level Electrothermal Stress Calculation Method of High-Power IGBT Modules in System-Level Simulation
Jianpeng Wang · Wenjie Chen · Yuwei Wu · Jin Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月
针对IGBT模块在实际应用中因电热应力过大导致的失效问题，本文提出了一种人工神经网络辅助的系统级仿真方法。该方法有效解决了IGBT模块在多时间尺度耦合下的电热动态特性计算难题，实现了对芯片级应力的精确、高效评估，为电力电子系统的可靠性设计提供了新思路。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。在组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）的研发中，IGBT模块是核心热源与失效点。通过引入该芯片级电热应力计算方法，研发团队可在系统级仿真阶段更精准地预测极端工况下的器件寿命，优化散热设计与驱动控制策略。这...
基于一种对运行条件低敏感的新型特征参数的多芯片IGBT模块芯片失效原位诊断
In Situ Diagnosis for IGBT Chip Failure in Multichip IGBT Modules Based on a Newly Defined Characteristic Parameter Low-Sensitive to Operation Conditions
Jianpeng Wang · Wenjie Chen · Yuwei Wu · Yi Liu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
为实现高电流容量，IGBT模块通常由多个并联芯片组成。单个芯片的键合线疲劳会导致模块性能逐渐退化，最终引发系统灾难性故障。本文提出了一种针对多芯片IGBT模块中键合线失效的原位诊断方法，通过定义一种对运行条件不敏感的特征参数，实现了对特定芯片故障的精准识别，有效提升了功率模块的可靠性。
解读: 该研究直接关联阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）中功率模块的寿命管理。IGBT作为逆变器和PCS的核心功率器件，其键合线疲劳是导致设备失效的主要原因之一。该诊断方法可集成至iSolarCloud智能运维平台，通过实时监测特征参数，实现对功率模块健康状态的预测性维护，降低...
基于径向模块连接的部分功率处理多端口DC-DC变换器
Partial Power Processing Multiport DC–DC Converter With Radial Module Connections
Yuwei Liu · Yihua Hu · Guipeng Chen · Huiqing Wen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月
部分功率处理（PPP）技术通过改变端口连接方式，在两端口变换器中实现了高效率与高功率密度。本文针对PPP技术难以扩展至多端口应用的问题，提出了一种基于径向模块连接的多端口DC-DC变换器拓扑，旨在提升多端口系统的转换效率与功率密度。
解读: 该研究提出的多端口PPP拓扑对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及光储一体化产品具有重要参考价值。目前储能PCS多采用多级变换架构，引入PPP技术可有效降低变换器处理功率的比例，显著提升系统整体转换效率并减小磁性元件体积，从而提升产品功率密度。建议研发团队评估该拓扑在...
一种基于差分电容设计的输入并联输出串联DAB馈电单相VSI二次谐波抑制方法
A Second-Harmonic Suppression Method Based on Differentiated-Capacitance Design for Input-Parallel Output-Series DAB Fed Single-Phase VSI
Zhenchao Li · Yan Zhang · Jinjun Liu · Ziyin Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
在单相逆变器中，瞬时功率以两倍工频脉动，导致直流母线产生二次谐波电压。传统方案依赖大容量电解电容或额外辅助电路，限制了系统寿命、效率及功率密度。本文提出一种基于输入并联输出串联（IPOS）双有源桥（DAB）变换器的差分电容设计方法，有效抑制二次谐波。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能系统（如PowerStack系列）具有重要参考价值。单相系统中的二次谐波抑制是提升功率密度和可靠性的关键瓶颈。通过IPOS DAB拓扑优化及差分电容设计，可显著减小直流侧电解电容体积，从而提升逆变器整体寿命与功率密度。建议研发团队评估该方案在单相户用储能变流...
用于Ka波段低压无线通信应用的高性能AlN/GaN/AlN/GaN双通道鳍式HEMT
High Performance AlN/GaN/AlN/GaN Double Channel Fin-HEMT For Ka-band Low Voltage Wireless Communication Applications
Can Gong · Minhan Mi · Yuwei Zhou · Ting Meng 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月
在本文中，提出了一种用于Ka波段低压移动通信应用的高性能AlN/GaN/AlN/GaN双沟道鳍式高电子迁移率晶体管（DCF - HEMT）。得益于鳍式结构，所制备的DCF - HEMT展现出了改善的关态栅极控制特性。该晶体管的薄层电阻（$R_{\mathrm{SH}}$）低至$174 \Omega /$□，源漏间距短至$1.5 \mu \mathrm{~m}$，AlN/GaN/AlN/GaN DCF - HEMT实现了高达$2613 \mathrm{~mA} / \mathrm{mm}$的最大电...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇关于AlN/GaN双沟道Fin-HEMT器件的研究虽然聚焦于Ka波段无线通信应用，但其核心技术突破对我司功率电子产品具有重要的借鉴价值和潜在应用前景。 该器件展现的技术特性与我司光伏逆变器、储能变流器等核心产品的技术需求存在显著契合点。首先，双沟道结构实现的低薄层电阻...
基于外生变量与调优形式时间序列提示增强的大型时间序列模型的风电功率预测
Wind power prediction using foundation large time series models enhanced by time series prompt in exogenous and tuning forms
Yuwei Fan · Tao Song · Chenlong Feng · Chao Liu 等5人 · Applied Energy · 2025年12月 · Vol.400
摘要 大型时间序列模型（Large Time Series Models, LTSMs）在能源领域具有广泛的应用前景，其中时间序列分析在电力预测等多种实际下游任务中发挥着重要作用。然而，对外生变量的忽视以及全量微调方法的局限性，制约了这些模型在下游任务中的适应能力。本文提出时间序列提示（Time Series Prompt, TSP）的概念，构建了一种基于TSP的方案，将外生变量融入基础LTSM，并结合参数高效微调（Parameter-Efficient Fine-Tuning, PEFT）方法...
解读: 该大型时序模型与时序提示技术对阳光电源风储系统具有重要价值。通过外生变量(风速预测)嵌入提示机制,可显著提升风电功率预测精度(MSE降低50%),结合参数高效微调进一步优化50%。该方法可直接应用于ST系列储能PCS的充放电策略优化,提升风储协同效率;集成至iSolarCloud平台实现智能预测性运...