找到 2 条结果
不同芯片尺寸和厚度的600V氧化镓二极管的开关特性
Switching Properties of 600 V Ga2O3 Diodes With Different Chip Sizes and Thicknesses
Florian Wilhelmi · Yuji Komatsu · Shinya Yamaguchi · Yuki Uchida 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文研究了氧化镓（Ga2O3）器件在电力电子领域的应用，重点分析了600V β-Ga2O3肖特基二极管的开关特性。文章首次评估了其作为续流二极管在400V转200V、功率达2kW的Buck变换器中的表现，为超宽禁带半导体在功率转换中的应用提供了实验依据。
解读: 氧化镓作为超宽禁带半导体材料，具备极高的击穿电场强度，在未来高压、高效率功率变换领域具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现商业化，可显著提升组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）的功率密度与效率，进一步降低损耗。建议研发团队持续跟踪其在高温环境下的可靠性表现及封装散热技术，评估其在下一代高频、...
通过衬底减薄和结面冷却提高Ga$_{2}$O$_{3}$肖特基二极管的散热能力和电流额定值
Improving the Heat Dissipation and Current Rating of Ga$_{2}$O$_{3}$ Schottky Diodes by Substrate Thinning and Junction-Side Cooling
Florian Wilhelmi · Yuji Komatsu · Shinya Yamaguchi · Yuki Uchida 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
氧化镓（Ga$_{2}$O$_{3}$）作为功率电子材料具有广阔前景，但其低热导率引发了散热管理挑战。本文评估了Ga$_{2}$O$_{3}$肖特基二极管的不同封装策略，对比了600μm标准厚度与200μm减薄大面积β-Ga$_{2}$O$_{3}$二极管在陶瓷基板上的散热性能，验证了减薄工艺与结面冷却对提升器件电流承载能力的关键作用。
解读: Ga$_{2}$O$_{3}$作为超宽禁带半导体，在未来高压、高功率密度电力电子应用中潜力巨大。对于阳光电源的组串式光伏逆变器和PowerTitan储能系统而言，提升功率密度是核心竞争力。该研究提出的衬底减薄与结面冷却技术，能有效解决宽禁带器件在高功率密度设计下的热瓶颈问题。建议研发团队关注Ga$_...