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功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

基于栅源电压差的并联SiC MOSFET瞬态电流均流方法

Transient Current Sharing Method for Parallel SiC MOSFETs Based on Gate-Source Voltage Difference

Hao Pan · Haichuan Zhou · Zhen Wang · Yufeng Zhao 等5人 · IET Power Electronics · 2025年4月 · Vol.18

本文建立了数学模型,用于分析和抑制并联SiC MOSFET在开关过程中的瞬态电流不平衡。通过提取与注入栅极电流以调节各器件间的栅源电压差异,所提出的控制策略显著降低了瞬态不平衡电流,有效实现了动态电流均分,提升了并联器件的电流共享性能,同时降低了设备过流风险。

解读: 该并联SiC MOSFET瞬态电流均流技术对阳光电源的大功率产品具有重要应用价值。可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的高功率密度模块设计,特别是1500V系统中的并联SiC器件应用场景。通过优化栅极驱动控制策略,有效解决了大功率产品中并联器件的动态电流分配问题,提升了系统可靠性。这...