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基于差模分段功率与双冗余矢量调节的多电平电流源变换器分层直流电流平衡策略
Hierarchical DC Current Balancing Strategy for Multilevel Current-Source Converters Based on Differential-Mode Sectional Power and Dual-Redundant Vector Regulation
Le Sun · Xiaoqiang Guo · Yuanhang Li · Ahmad Syed 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
多电平电流源变换器中直流电感电流不平衡会降低电能质量，甚至导致模块或桥臂过载。传统平衡策略存在计算复杂或自由度受限的问题。本文提出了一种基于差模分段功率与双冗余矢量调节的分层平衡策略，有效提升了电流平衡性能并降低了控制复杂度。
解读: 该研究针对多电平电流源变换器的直流侧电流平衡问题，对于阳光电源的大功率集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在多电平拓扑中，直流侧电流的均衡直接影响功率模块的可靠性与寿命。该文提出的分层控制策略能够优化冗余矢量分配，提升系统在复杂工况下的稳定性。建议研发团队评...
基于6英寸Si的MIS p-GaN隧穿栅HEMT：一种提升栅极可靠性的新方法
MIS p-GaN Tunneling Gate HEMTs on 6-In Si: A Novel Approach to Enhance Gate Reliability
Zhanfei Han · Xiangdong Li · Jian Ji · Qiushuang Li 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
为了提高 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极摆幅并降低栅极泄漏，本工作引入了具有超薄 Al₂O₃ 隧穿层的新型金属 - 绝缘体 - 半导体（MIS）p - GaN 隧穿栅 HEMT。通过改变原子层沉积（ALD）的氧源以及 MIS 结构中 Al₂O₃ 的厚度，我们得到以下结果：1）使用 H₂O 作为氧源进行 Al₂O₃ 沉积时引入的过量氢会严重使 Mg 掺杂剂失活，使阈值电压 $V_{\text {TH}}$ 负向漂移，并损害动态性能；2）MIS 结构可有效提高正向偏置栅极击穿...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项MIS p-GaN隧穿栅极HEMT技术对我们在光伏逆变器和储能系统中的功率器件应用具有重要战略意义。 该技术通过在p-GaN栅极结构中引入超薄Al2O3隧穿层，有效解决了传统p-GaN栅极HEMT的核心痛点。对于阳光电源的高功率密度逆变器产品，该技术带来的正向栅极击穿...