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功率器件技术 GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

功率变换器中eGaN HEMT的开关瞬态建模

Switching Transition Modeling of eGaN HEMT in Power Converters

Guidong Zhang · Yuanhang He · Samson Shenglong Yu · Yun Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

驱动电阻的选择对功率变换器设计至关重要,不当的电阻值会导致效率降低及过压、误导通等异常行为。本文提出了一种针对DC-DC变换器中开关管的精确开关瞬态建模方法,旨在指导工程师进行驱动电路设计,优化开关性能。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升,宽禁带半导体(GaN)的应用成为技术演进的关键。该文献提出的开关瞬态建模方法,能够有效解决GaN器件在高频开关下的电压尖峰与误导通问题,对优化阳光电源户用逆变器及微型逆变器的驱动电路设计具有直接指导意义。建议研发团队在下一代高频...