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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

基于eGaN FET的高频大功率无线电能传输谐振逆变器

High-Frequency, High-Power Resonant Inverter With eGaN FET for Wireless Power Transfer

Jungwon Choi · Daisuke Tsukiyama · Yoshinori Tsuruda · Juan Manuel Rivas Davila · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月

本文介绍了一种用于无线电能传输(WPT)的高功率谐振逆变器,该逆变器采用增强型氮化镓(eGaN)器件,工作频率为13.56 MHz。驱动发射线圈的逆变器基于Φ2类拓扑,具有单开关结构、低开关电压应力和快速瞬态响应的特点。

解读: 该研究聚焦于高频氮化镓(GaN)器件在无线电能传输中的应用,体现了宽禁带半导体在高频化、小型化设计中的优势。对于阳光电源而言,虽然目前核心业务集中在光伏逆变器和储能PCS,但随着电动汽车充电桩业务的拓展,无线充电技术是未来潜在的技术储备方向。此外,GaN器件在高频开关下的优异表现,可为公司下一代高功...