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用于分析并联功率晶体管电流不平衡的主导模型参数确定
Dominant Model-Parameter Determination for the Analysis of Current Imbalance Across Paralleled Power Transistors
Yohei Nakamura · Michihiro Shintani · Takashi Sato · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
本文提出了一种基于灵敏度的新型分析方程——n器件方差前向传播（NFPV）。利用该方程，可以高效确定主导器件模型参数，这对于准确分析因统计参数变化导致的并联功率晶体管电流不平衡所引发的能量损耗差异至关重要。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高价值。在这些大功率产品中，功率模块通常采用多管并联以提升电流容量。电流不平衡会导致局部过热、效率下降及可靠性风险。NFPV方法能帮助研发团队在设计阶段快速识别关键参数（如阈值电压、...
基于表面势的碳化硅功率MOSFET电路仿真模型
Surface-Potential-Based Silicon Carbide Power MOSFET Model for Circuit Simulation
Michihiro Shintani · Yohei Nakamura · Kazuki Oishi · Masayuki Hiromoto 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月
随着电力电子变换器工作频率的提升，对功率器件模型的物理特性准确性提出了更高要求。本文提出了一种基于表面势的碳化硅（SiC）功率MOSFET综合模型，旨在实现更精确的电路仿真，克服了传统模型在描述物理行为方面的局限性。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率器件选型与驱动优化。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件以提升功率密度和转换效率，高精度的器件模型对于缩短研发周期、优化开关损耗及电磁兼容（EMC）设计至关重要。建议研发团队将此表面势模型集成至iSol...